| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;形成一闸极氧化层于该半导体基底上;形成一导电层于该闸极氧化层上;形成一氮化矽层于该导电层上;进行微影制程,去除部分该氮化矽层、该导电层、该闸极氧化层及该半导体基底,以在该半导体基底中形成一沟渠;在该沟渠的表面以及该导电层的侧壁形成一衬层;以及形成一绝缘插塞于该沟渠中。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该闸极氧化层系以热氧化法形成。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该导电层系为一复晶矽层。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中形成该绝缘插塞的方法更进一步包括下列步骤:形成一绝缘层于该沟渠中与该氮化矽层上;以及去除该氮化矽层上之该绝缘层,以在该沟渠中形成一绝缘插塞。5.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该绝缘层系为一氧化层。6.如申请专利范围第4项所述之制造方法,其中该绝缘层系以化学机械研磨法去除。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中更进一步在该衬氧化层形成后,进行一离子植入步骤,以在该沟渠下方形成一场区。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该沟渠系以非等向性蚀刻进行。9.一种浅沟渠隔离的制造方法,包括下列步骤:提供一半导体基底;形成一牺牲氧化层于该半导体基底上;对该半导体基底进行离子植入步骤;形成一闸极氧化层于该半导体基底上;形成一复晶矽层于该闸该氧化层上;形成一氮化矽层于该复晶矽层上;进行微影制程,去除部分该氮化矽层、该复晶矽层、该闸极氧化层及该半导体基底,以在该半导体基底中形成一沟渠;于该沟渠之内表面与该复晶矽层的侧壁形成一衬氧化层;形成一绝缘层于该氮化矽层上与该沟渠中;去除氮化矽层上之该绝缘层,以在该沟渠中形成一绝缘插塞;去除该氮化矽层;以及定义并去除部分该复晶矽层,以形成一导线。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该闸极氧化层系以热氧化法形成。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该绝缘层之材质系为氧化物。12.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中形成该绝缘插塞的方式系以化学机械研磨法去除该氮化矽层上之该绝缘层。图式简单说明:第一图A至第一图D绘示系为习知的一种浅沟渠隔离制造方法之流程图;以及第二图A至第二图D绘示依照本发明一较佳实施例的一种浅沟渠隔离的制造方法流程图。 |
