发明名称 液晶聚合物薄膜和层叠体及其制法和多层安装电路基板
摘要 本发明以低成本提供一种在具有液晶聚合物薄膜本身所具有的高强力和高弹性率,及耐药性等性质的同时,还具有优良的高耐热性和耐磨性的薄膜,其层叠体和使用该层叠体的多层安装电路基板。将可以形成光学各向异性的熔融相的聚合物薄膜,与在该薄膜热处理时,可以保持其形状的黏附体层叠起来后,在薄膜热变形温度 Tdef,比熔点Tm低α℃(α=10~35℃)的温度范围内,前述薄膜的融解峰值源度TA,达到比该薄膜热处理前的熔点Tm高β℃(β=5~30℃)时的温度之前,进行热处理﹔之后,热处理温度在聚合物的熔点Tm以上,在薄膜之融解峰值温度TA以下的温度范围内,在前述TA达到增大γ℃(γ=5~20℃)的温度之前,进行热处理﹔接着,除去黏附体,可制造出薄膜。
申请公布号 TW436510 申请公布日期 2001.05.28
申请号 TW088105380 申请日期 1999.04.03
申请人 可乐丽股份有限公司 发明人 小野寺稔;田中善喜
分类号 C08L67/00 主分类号 C08L67/00
代理机构 代理人 何金涂 台北巿大安区敦化南路二段七十七号八楼
主权项 1.一种液晶聚合物薄膜的制造方法,其特征为将可形成光学各向异性的熔融相聚合物(以下称为液晶聚合物)构成之薄膜,与该薄膜热处理时可保持其形状的黏附体层叠起来,其中液晶聚合物系选自且黏附体系选自铜、镍、铝、银、金及玻璃;以下述热处理方法进行多次后,除去该黏附体,得到晶体聚合物薄膜;第一次:热处理温度为从薄膜热变形温度Tdef开始,至比该薄膜热处理前的熔点Tm低℃的温度范围(Tdef-(Tm-℃))内,在用差示扫描量热器,在氮气环境中,以5℃/分的升温速度进行测定时的处理中的前述薄膜的融解峰値温度TA,达到比该薄膜热处理前的熔点Tm高℃的温度TA1之前,进行热处理;=10-35℃,=5-30℃第二次:热处理温度在前述薄膜热处理前的熔点Tm以上,融解峰値温度TA1以下的温度范围内,在前述融解峰値温度TA1达到增大℃的温度TA2之前,进行热处理;=5-20℃第n次:热处理温度在融解峰値温度TAn-2以上,TAn-1以下的温度范围内,在TAn-1达到增大℃的温度TAn之前,进行热处理。整数n≧3,=5-20℃。2.一种液晶聚合物薄膜的制造方法,其特征为在申请专利范围第1项中,使前述薄膜与黏附体层叠起来;利用由具有最大粗糙度(Rmax:JIS B 0601)为1.0-10微米的凹凸表面之金属箔制成,其表面上涂覆一层厚度为0.1-1微米的矽系聚合物之黏附体,再使前述薄膜的至少一表面,与该黏附体之涂层表面接触的状态下,将薄膜层叠起来;另外,在前述热处理后,除去黏附体,同时使熔融软化的薄膜冷却,且从前述黏附体上剥离固化后得到的薄膜层。3.一种依申请专利范围第1项所述方法制得的薄膜。4.一种依申请专利范围第2项所述方法制得的薄膜。5.一种层叠体的制造方法,该层叠体是由薄膜和黏附体所构成,其特征为将液晶聚合物薄膜,与该薄膜热处理时可以保持其形状的黏附体层叠起来,进行申请专利范围第1项所述的多次热处理。6.一种依申请专利范围第5项所述方法制得的层叠体。7.一种多层安装电路基板,其系将两层以上的申请专利范围第6项所述之层叠体予以叠合,根据需要,在层叠体之间夹入片状物并叠合之,且在其上安装电子零件而构成者。图式简单说明:第一图为表示本发明的热处理温度与液晶聚合物薄膜的融解峰値温度的特性图;第二图为使用本发明的层叠体的多层安装电路基板的截面图。
地址 日本