| 摘要 |
一种浅沟渠隔离结构之制造方法。配合罩幕层的使用,于具有单晶结构的基底中形成沟渠,为了避免后续制程所产生的应力会沿着此单晶结构之基底的特定方向作用,因此于沟渠之基底表面形成完衬氧化层后,分两阶段进行绝缘物质的填入,于第一阶段的绝缘物质部份填入沟渠中后,进行高温回火制程,之后再进行第二阶段的绝缘物质填满沟渠。 |
| 主权项 |
1.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,将一基底上之一罩幕层的图案转换至该基底中,以于该基底中形成一沟渠,该制造方法包括:于该罩幕层上形成一第一绝缘层,并部份填入该沟渠中;进行一密实化制程;以及于该第一绝缘层上形成一第二绝缘层,并完全填满该沟渠。2.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中在形成该第一绝缘层之前,更包括在该沟渠之该基底表面形成一衬氧化层。3.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第一绝缘层和该第二绝缘层的材质包括氧化矽。4.如申请专利范围第3项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该密实化制程包括高温回火制程。5.如申请专利范围第1项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第一绝缘层的厚度约为100埃至宽度最小之沟渠的半宽之间。6.如申请专利范围第4项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第一绝缘层的厚度约为100埃至宽度最小之沟渠的半宽之间。7.如申请专利范围第5项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第二绝缘层形成后,更包括将该罩幕层上多余之该第一绝缘层和该第二绝缘层予以剥除。8.一种浅沟渠隔离结构的制造方法,包括:于一基底上,形成已图案化的一罩幕层;将罩幕层的图案转换至该基底中,用以在该基底中形成一沟渠;于该沟渠所暴露出的基底表面形成一衬氧化层;于该罩幕层和该衬氧化层上方形成约略共形的一第一绝缘层;进行一密实化制程;以及于该第一绝缘层上方形成一第二绝缘层,并完全填满该沟渠;以及去除部份该第一绝缘层和部份该第二绝缘层,至暴露出该罩幕层。9.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第一绝缘层和该第二绝缘层的材质包括氧化矽。10.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该密实化制程包括高温回火制程。11.如申请专利范围第8项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第一绝缘层的厚度约为100埃至宽度最小之沟柒的半宽之间。12.如申请专利范围第10项所述之浅沟渠隔离结构的制造方法,其中该第一绝缘层的厚度约为100埃至宽度最小之沟渠的半宽之间。图式简单说明:第一图A至第一图F其所绘示的是根据本发明较佳实施例之一种浅沟渠隔离结构之制造流程剖面图。 |
