| 主权项 |
1.一种固态摄影装置,包含:复数个光电转换元件;一电荷转移部,具有:一电荷转移电极,其读取且转移产生于该复数个光电转换元件中之信号电荷;以及一基板电压产生电路,具有:复数个电阻器,连接于一第一电位与一第二电位间,以及复数个选择开关,用以选择该复数个电阻器,藉由组合该复数个选择开关之导通与非导通状态,以获得一期望的基板电压;其中,该复数个选择开关系由复数个抗熔元件所构成。2.如申请专利范围第1项之固态摄影装置,其中该基板电压产生电路之所有该复数个电阻器皆串联。3.如申请专利范围第2项之固态摄影装置,其中该复数个选择开关系并联于该复数个电阻器。4.如申请专利范围第2项之固态摄影装置,其中该复数个选择开关系连接于该复数个电阻器之各接触。5.如申请专利范围第1项之固态摄影装置,其中该基板电压产生电路包含:一可变电阻器,由复数个组套并联排列所构成,该复数个组套系由串联该复数个选择开关与该复数个电阻器所构成;以及一负载电阻器,串联于该可变电阻器,该负载电阻器与该可变电阻器系介于该第一电位与该第二电位间。6.如申请专利范围第1项之固态摄影装置,其中该形成该可变电阻器之该复数个电阻器之各电阻系设定成最小电阻之2n(n=0,1,2,…)倍。7.如申请专利范围第1项之固态摄影装置,其中该抗熔元件系由一下导电膜、一上导电膜、以及一插入该下与上导电膜间之绝缘膜所组成,且该下导电膜与该上导电膜系由选自于构成该电荷转移电极之层、构成一覆盖该电荷转移电极之挡光膜之层、以及构成该周缘电路配线之层所组成之族群中之二层所形成。8.如申请专利范围第1项之固态摄影装置,其中该电阻器之每一个系由一MOSFET所构成。9.如申请专利范围第8项之固态摄影装置,其中该MOSFET之闸极电极系由相同于该电荷转移电极之层所形成。10.一种如申请专利范围第7项之固态摄影装置之制造方法,包含下列步骤:形成一电荷转移电极于一基板上,该基板设有复数个光电转换区域;形成一挡光膜,用以经由一第一层间绝缘膜而覆盖该电荷转移电极,且形成一抗熔元件一下导电膜,该下导电膜系由相同于该挡光膜之层所形成;以及形成一周缘电路配线,且形成一上导电膜,其经由一第二层间绝缘膜而位于该抗熔元件之该下导电层上,该上导电膜系由相同于该周缘电路配线之层所形成。11.一种如申请专利范围第7项之固态摄影装置之制造方法,包含下列步骤:形成一电荷转移电极于一半导体基板上,该半导体基板设有复数个光电转换元件,且形成一抗熔元件之一下导电膜,该下导电膜系由与该电荷转移电极相同之层所形成;形成一挡光膜,用以经由一第一层间绝缘膜而覆盖该电荷转移电极,且形成该抗熔元件之一上导电膜,该上导电膜系由该挡光膜相同之层所形成;以及形成一周缘电路配线于一第二层间绝缘膜上。12.一种如申请专利范围第7项之固态摄影装置之制造方法,包含下列步骤:形成一电荷转移电极于一基板上,该基板设有复数个光电转换区域,且形成一抗熔元件之一下导电膜,该下导电膜系由与该电荷转移电极相同之层所形成;形成一挡光膜,用以经由一第一层间绝缘膜而覆盖该电荷转移电极,且形成该抗熔元件之一下导电膜,该下导电膜系由与该挡光膜相同之层所形成;以及形成一周缘电路配线,且形成一上导电膜,其经由一第二层间绝缘膜而位于该抗熔元件之该下导电膜上,该上导电膜系由相同于该周缘电路配线之层所形成。图式简单说明:第一图系一电路图,用以显示依据本发明第一实施例之CCD型固态摄影电路之基板电压控制电路之结构。第二图A、第二图B、与第二图C系剖面图,用以显示依据本发明第一实施例之CCD型固态摄影电路之制造制程。第三图D、第三图E、第三图F系剖面图,接续第二图A、第二图B、与第二图C,用以显示制造制程。第四图系一示意图,用以显示本发明第一实施例之CCD型固态摄影电路之结构。第五图系一电路图,用以显示依据本发明第二实施例之CCD型固态摄影电路之基板电压控制电路之结构。第六图系一剖面图,用以显示电阻器,作为构成第五图所示之前述基板电压控制电路之组成元件。第七图系一电路图,用以显示依据本发明第三实施例之CCD型固态摄影电路之基板电压控制电路之结构。第八图系一电路图,用以显示依据本发明第四实施例之CCD型固态摄影电路之基板电压控制电路之结构。第九图系一剖面图,用以显示习知的CCD型固态摄影装置之光电转换剖之结构之例子。第十图A与第十图B系显示在习知的固态摄影装置之基板中之电位分布之示意图。 |
