半导体装置之电容器制法,申请号TW087114157-传众专利搜索

发明名称	半导体装置之电容器制法
摘要	提供一种用以制造半导体装置之电容器的方法，该方法包括的步骤有:提供一半导体基板；形成一层中间绝缘膜，其于半导体基板上具有接点插塞；于包含接点插塞的中间绝缘膜上形成一层作为扩散阻绝膜的氮化钨膜;以及于氮化钨膜上形成一下电极、一介电层与一上电极的叠积结构。所以，基于张应力所产生之扩散保护膜的劣化将可被避免,而介于电极材料与多晶矽接点插塞之间的矽化物反应将可被控制，因为氮化钨膜具有优越的扩散保护性质，所以装置的性质劣化将可被避免，半导体装置的特性与可靠度将可被改良,且半导体装置的大规模整合将可实施。
申请公布号	TW437067	申请公布日期	2001.05.28
申请号	TW087114157	申请日期	1998.08.27
申请人	现代电子产业股份有限公司	发明人	廉胜振;朴泳震
分类号	H01L27/108	主分类号	H01L27/108
代理机构		代理人	林镒珠台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项	1.一种用以制造半导体装置之电容器的方法,该方法包括有下列的步骤:提供一半导体基板;形成一层中间绝缘膜,其于半导体基板上具有接点插塞;于包含接点插塞的中间绝缘膜上形成一层作为扩散阻绝膜的氮化钨膜;以及于氮化钨膜上形成一下电极、一介电层与一上电极的叠积结构。2.如申请专利范围第1项之方法,其中氮化钨膜(WNx)系使用以WF6-H2-N2为基底气体之反应材料的PECVD法沈积。3.如申请专利范围第1项之方法,其中藉由控制氮气对氢气的流量比例为0.25-1,而使氮化钨膜(WNx)具有0.5<x<0.9的组成范围。4.如申请专利范围第1项之方法,其中氮化钨膜具有100-600的厚度。5.如申请专利范围第1项之方法,其中氮化钨膜系于250-450℃的温度下形成。6.如申请专利范围第1项之方法,其中下电极可为铂或选择诸如RuO2.IrO2等导电性氧化物膜其中之一。7.如申请专利范围第1项之方法,其中介电膜可由PZT、SBT、SBNO以及BTO所组成的群组中任意选择。8.一种用以制造半导体装置之电容器的方法,该方法包括有下列的步骤:提供一半导体基板;形成一层中间绝缘膜,其于半导体基板上具有接点插塞;于包含接点插塞的中间绝缘膜上形成一层作为扩散阻绝膜的氮化钨膜,其中氮化钨膜系以使用WF6-H2-N2为基底反应物质的电浆强化化学气相沈积法而形成;以及于氮化钨膜上形成一下电极、一介电层与一上电极的叠积结构。9.如申请专利范围第8项之方法,其中藉由控制氮气对氢气的流量比例为0.25-1,而使氮化钨膜(WNx)具有0.5<x<0.9的组成范围。10.如申请专利范围第8项之方法,其中氮化钨膜具有100-600的厚度。11.如申请专利范围第8项之方法,其中氮化钨膜系于250-450℃的温度下形成。12.如申请专利范围第8项之方法,其中下电极可为铂或选择诸如RuO2.IrO2等导电性氧化物膜其中之一。13.如申请专利范围第1项之方法,其中介电膜可由PZT、SBT、SBNO以及BTO所组成的群组中任意地选择。图式简单说明:第一图至第三图系图示根据本发明之一具体实施例之半导体装置之电容器制造方法的剖面图。
地址	韩国