| 主权项 |
1.一种增加闸极接触面积的制造方法,适用于一已形成元件隔离结构之矽基底,该方法包括下列步骤:于该矽基底上形成一闸极结构,该闸极结构包括由下而上堆叠之一闸极氧化层与一闸极复晶矽层;于该矽基底及该闸极结构上形成一共形之第一牺牲层;于该矽基底上形成一第二牺牲层,该第二牺牲层表面低于该复晶矽层顶面一厚度;去除暴露之该第一牺牲层;于该矽基底表面覆盖一共形之复晶矽层;于该闸极结构之侧壁形成一间隙壁;以该间隙壁为罩幕,去除暴露之复晶矽层,以在闸极两侧形成一侧翼复晶矽层;以及去除该间隙壁、该第二牺牲层与该第一牺牲层。2.如申请专利范围第1项所述之增加闸极接触面积的制造方法,其中该第一牺牲层包括氮化矽层。4.如申请专利范围第1项所述之增加闸极接触面积的制造方法,其中该第二牺牲层包括氧化矽层。5.如申请专利范围第1项所述之增加闸极接触面积的制造方法,其中该第二牺牲层表面至该复晶矽层顶面相距之该厚度约为1500埃左右。6.一种闸极接面导电结构的制造方法,适用于一已形成元件隔离结构之矽基底,该方法包括下列步骤:于该矽基底上形成一闸极结构,该闸极结构包括由下而上堆叠之一闸极氧化层与一闸极复晶矽层;于该矽基底及该闸极结构上形成一共形之第一牺牲层;于该矽基底上形成一第二牺牲层,该第二牺牲层表面低于该复晶矽层顶面一厚度;去除暴露之该第一牺牲层;于该矽基底表面覆盖一共形之复晶矽层;于该闸极结构之侧壁形成一间隙壁;以该间隙壁为罩幕,去除暴露之复晶矽层,以在闸极两侧形成一侧翼复晶矽层;去除该间隙壁、该第二牺牲层与该第一牺牲层;以及进行一矽化金属制程,于该闸极复晶矽层与该侧翼复晶矽层表面形成一矽化金属层。7.如申请专利范围第6项所述之闸极接面导电结构的制造方法,其中该第一牺牲层包括氮化矽层。8.如申请专利范围第6项所述之闸极接面导电结构的制造方法,其中该第二牺牲层包括氧化矽层。9.如申请专利范围第6项所述之闸极接面导电结构的制造方法,其中该第二牺牲层表面至该复晶矽层顶面相距之该厚度约为1500埃左右。10.如申请专利范围第6项所述之闸极接面导电结构的制造方法,其中该间隙壁的材质包括氧化矽。11.如申请专利范围第6项所述之闸极接面导电结构的制造方法,其中该矽化金属层包括矽化钛层。12.如申请专利范围第11项所述之闸极接面导电结构的制造方法,其中形成该矽化钛层方法包括:于该闸极复晶矽层及该侧翼复晶矽层上形成一钛金属层;进行一加热制程,使该钛金属层与该闸极复晶矽层及该侧翼复晶矽层反应形成一矽化钛层;以及去除剩余的钛金属层。13.一种半导体元件的制造方法,包括:提供一矽基底,该矽基底中具有一元件隔离结构;于该矽基底上形成一闸极结构,该闸极结构包括由下而上堆叠之一闸极氧化层与一闸极复晶矽层;于该矽基底及该闸极结构上形成一共形之第一牺牲层;进行一轻掺杂步骤,于该闸极结构两侧之该矽基底中形成一轻掺杂源极/汲极区;于该闸极结构之侧壁形成一第一间隙壁;进行一重掺杂步骤,于该闸极结构两侧之该矽基底中形成一重掺杂源极/汲极区;于该矽基底上覆盖一第二牺牲层;去除部分该第二牺牲层、该第一间隙壁与该第一牺牲层,直到该第二牺牲层表面低于该闸极复晶矽层顶面一厚度;于该矽基底表面覆盖一共形之复晶矽层;于该闸极结构之侧壁形成一第二间隙壁;以该第二间隙壁为罩幕,去除暴露之复晶矽层,以在闸极两侧形成一侧翼复晶矽层;去除该第二间隙壁、该第二牺牲层、该第一间隙壁与该第一牺牲层;进行一矽化金属制程,于该闸极复晶矽层、该侧翼复晶矽层与该重掺杂源极/汲极区表面上形成一矽化金属层;以及于该矽基底上覆盖一绝缘层,且于该侧翼复晶矽层下形成一空气间隙壁。14.如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制造方法,其中该第一牺牲层包括氮化矽层。15.如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制造方法,其中该第一牺牲层之厚度约为200埃左右。16.如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制造方法,其中该第一间隙壁的材质包括氧化矽。17.如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制造方法,其中该第二牺牲层包括氧化矽层。18.如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制造方法,其中该第二牺牲层表面至该复晶矽层顶面相距之该厚度约为1500埃左右。19.如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制造方法,其中该复晶矽层之厚度约为300-500埃左右。20.如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制造方法,其中该第二间隙壁的材质包括氧化矽。21.如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制造方法,其中该第二间隙壁的宽度约为300-800埃左右。22.如申请专利范围第13项所述之半导体元件的制造方法,其中该矽化金属层包括矽化钛层。图式简单说明:第一图A至第一图I是绘示依照本发明一较佳实施例之制程剖面示意图。 |
