| 主权项 |
1.一种可减少残留物之浅沟渠隔离制程,其步骤包括:提供一基底;形成一具特定图案之硬罩幕层于该基底上;蚀刻未被该硬罩幕层所覆盖之该基底,并且形成一浅沟渠;施一等向性蚀刻处理;以及去除该硬罩幕层。2.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该基底系矽基底。3.如申请专利范围第2项所述之制程,其中该基底表面更包含有半导体元件。4.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该硬罩幕层之形成步骤包括:依序形成一垫氧化层以及一氮化物层于该基底上;以及利用微影程序和乾蚀刻技术,定义该氮化物层和该垫氧化层,形成一具特定图案之硬罩幕层。5.如申请专利范围第4项所述之制程,其中该氮化物层系由氮化矽构成。6.如申请专利范围第4项所述之制程,其中该硬罩幕层之乾蚀刻步骤所用之蚀刻气体是由四氟化碳/三氟甲烷/氩气所构成。7.如申请专利范围第1项所述之制程,其中该等向性蚀刻处理所用之蚀刻气体是氯气/氦气。8.如申请专利范围第7项所述之制程,其中该等向性蚀刻处理是于压力130-175mTorr,且磁场强度为70-95G之条件下进行。9.如申请专利范围第8项所述之制程,其中该等向性蚀刻处理时之压力为150mTorr,且磁场强度范围为80G。10.如申请专利范围第1项所述之制程,其中更包括一在该浅沟渠内填入一绝缘物质之步骤。11.一种可减少残留物之浅沟渠隔离制程,其步骤包括:提供一基底;依序形成一垫氧化层和一氮化物层于该基底上;利用微影程序和蚀刻技术定义该氮化物层和该垫氧化层,形成一具特定图案之硬罩幕层;蚀刻未被该硬罩幕层所覆盖之该基底,并且形成一浅沟渠;施一等向性蚀刻处理;以及去除该硬罩幕层。12.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该硬罩幕层之蚀刻步骤是利用乾蚀刻法进行。13.如申请专利范围第12项所述之制程,其中该硬罩幕层之乾蚀刻步骤所用之蚀刻气体是由四氟化碳/三氟甲烷/氩气所构成。14.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该等向性蚀刻处理所用之蚀刻气体是氯气/氦气。15.如申请专利范围第14项所述之制程,其中该等向性蚀刻处理是于压力130-175mTorr,且磁场强度70-95G之条件下进行。16.如申请专利范围第11项所述之制程,其中该等向性蚀刻处理时之压力为150mTorr,且磁场强度范围为80G。17.如申请专利范围第11项所述之制程,其中更包括一在该浅沟渠内填入一绝缘物质之步骤。18.一种可减少残留物之浅沟渠隔离制程,其步骤包括:提供一基底;依序形成一垫氧化层和一氮化物层于该基底上;利用微影程序和蚀刻技术定义该氮化物层和该垫氧化层,形成一具特定图案之硬罩幕层;蚀刻未被该硬罩幕层所覆盖之该基底,并且形成一浅沟渠;施一等向性蚀刻处理;去除该硬罩幕层;以及在该浅沟渠内填入一绝缘物质。19.如申请专利范围第18项所述之制程,其中该硬罩幕层之蚀刻步骤是利用乾蚀刻法进行。20.如申请专利范围第19项所述之制程,其中该硬罩幕层之乾蚀刻步骤所用之蚀刻气体是由四氟化碳/三氟甲烷/氩气所构成。21.如申请专利范围第18项所述之制程,其中该等向性蚀刻处理所用之蚀刻气体是氯气/氦气。22.如申请专利范围第18项所述之制程,其中该等向性蚀刻处理是于压力130-175mTorr,且磁场强度70-95G之条件下进行。23.如申请专利范围第18项所述之制程,其中该等向性蚀刻处理时之压力为150mTorr,且磁场强度为80G。图式简单说明:第一图A-第一图C显示的是习知一种浅沟渠隔离剖面制程。第二图A-第二图E显示的是根据本发明之一种可减少残留物之浅沟渠隔离剖面制程。 |
