| 主权项 |
1.一种半导体记忆装置,包括:记忆元件阵列,使用平格型记忆元件;感测放大器,连接于上述记忆元件阵列;GND选择电路,配置于上述记忆元件阵列近旁,而连接于上述记忆元件阵列;预充电电路;以及预充电选择电路,连接于上述GND选择电路与上述预充电电路;其特征在于:上述记忆元件阵列与上述GND选择电路是以金属配线连接,上述GND选择电路之各选择是针对上述金属配线之1条的金属线连接1个电晶体,上述GND选择电路之GND选择用的电晶体是与上述预充电选择电路之预充电选择用的电晶体花用。2.如申请专利范围第1项之半导体记忆装置,其中更包括:连接上述记忆元件阵列与上述GND选择电路之触排选择线。3.一种半导体记忆装置,包括:记忆元件阵列,使用平格型记忆元件;感测放大器;Y选择电路,连接于上述感测放大器;预充电电路;以及预充电选择电路;其特征在于:上述记忆元件阵列与上述Y选择电路是以数位线连接,上述Y选择电路之各选择器是针对上述数位线之1条的数位线连接第1个电晶体,上述Y选择电路之数位线选择用的电晶体是与上述预充电选择电路之预充电线选择用的电晶体共用。4.如申请专利范围第3项之半导体记忆装置,其中更包括:连接上述记忆元件阵列与上述Y选择电路之触排选择线。5.一种半导体记忆装置,包括:记忆元件阵列,使用平格型记忆元件;感测放大器,连接于上述记忆元件阵列;GND选择电路,配置于上述记忆元件阵列近旁,且连接于上述记忆元件阵列;第1预充电电路;第1预充电选择电路,连接于上述GND选择电路与上述第1预充电电路;Y选择电路,连接于上述感测放大器;第2预充电电路;以及第2预充电选择电路;其特征在于:上述记忆元件阵列与上述GND选择电路是以金属数配线连接,上述GND选择电路之各选择器是针对上述金属配线之1条的金属线连接1个电晶体,上述GND选择电路之GND选择用的电晶体是与上述预充电选择电路之预充电选择用的电晶体共用,上述记忆元件阵列与上述Y选择电路是以数位线连接,上述Y选择电路之各选择器是针对上述数位线之1条的数位线连接1个电晶体,上述Y选择电路之数位线选择用的电晶体是与上述预充电选择电路之预充电线选择用的电晶体共用。6.如申请专利范围第5项之半导体记忆装置,其中更包括:连接上述记忆元件阵列与上述GND选择电路,以及连接上述记忆元件阵列与上述Y选择电路之其他触排选择线。图式简单说明:第一图为使用习知之平格型记忆元件的半导体记忆装置的电路图。第二图为本发明第1实施例之使用平格型记忆元件的半导体记忆装置的方块图。第三图为用以说明第二图之半导体记忆装置的动作之第二图的半导体记忆装置之一部份的详细电路图。第四图为用以说明第二图之半导体记忆装置的其他动作之第三图同样的图。第五图为本发明之选择器的电路构成图。第六图为习知之选择器的电路构成图。 |
