| 主权项 |
1.一种光二极体之结构,其包括:一第一导电型的基底;一隔离区,位于该第一导电型的基底之上;一第二导电型的掺杂区,位于该基底之上,并与该隔离区相邻;一防止电浆损害的保护层,覆盖于该隔离区与该第二导电型的掺杂区之上;一内介电层,位于该防止电浆损害的保护层之上;以及一金属插塞,穿透该内介电层及该防止电浆损害的保护层而与该第二导电型的掺杂区电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之结构,其中该防止电浆损害的保护层包括一氮化矽层。3.如申请专利范围第1或2项所述之结构,其中该基底包括一掺杂的井区。4.如申请专利范围第1或2项所述之结构,其中该第一导电型与该第二导电型的电性相反。5.如申请专利范围第1或2项所述之结构,其中该氮化矽层厚度约大于100。6.如申请专利范围第1或2项所述之结构,其中该内介电层包括一硼磷矽酸四乙酯层。7.如申请专利范围第1或2项所述之结构,其中该内介电层包括一硼磷玻璃层。8.一种光二极体的制造方法,包括:提供一第一导电型的基底;于该基底上形成一隔离区,用以作为绝缘之用;于该基底上进行离子掺杂随后进行回火,形成一第二导电型离子掺杂区;在该第一导电型的基底上方覆盖一防止电浆损害的保护层;于该防止电浆损害的保护层上形成一内介电层;蚀刻该内介电层与该防止电浆损害的保护层,定义祼露出该第二导电型离子掺杂区之一接触窗口;以及形成一接触插塞,填入该接触窗口内。9.如申请专利范围第8项所述之制造方法,其中该防止电浆损害的保护层包括一氮化矽层。10.如申请专利范围第8或9项所述之制造方法,其中该基底包括一掺杂的井区。11.如申请专利范围第8或9项所述之制造方法,其中该隔离区形成方法包括区域氧化法。12.如申请专利范围第8或9项所述之制造方法,其中该隔离区包括场氧化层。13.如申请专利范围第8或9项所述之制造方法,其中该第一导电型与该第二导电型之电性相反。14.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中该氮化矽层厚度约大于100。15.如申请专利范围第8或9项所述之制造方法,其中该内介电层包括一硼磷矽酸四乙酯层。16.如申请专利范围第8或9项所述之制造方法,其中该内介电层包括一硼磷矽玻璃层。17.如申请专利范围第8或9项所述之制造方法,其中该内介电层之形成方法包括电浆强化型化学气相沉积法。18.如申请专利范围第8或9项所述之制造方法,其中该内介电层之形成方法包括常压化学气相沉积法。19.如申请专利范围第8或9项所述之制造方法,其中系以乾式蚀刻法定义该接触窗口。20.如申请专利范围第8或9项所述之制造方法,其中形成该接触插塞方法更包括:以溅镀法于该基底上方形成一金属层,填入该接触窗口内;以及蚀刻定义该金属层图案。图式简单说明:第一图A至第一图C其所绘示的为习知一种光二极体的制造流程剖面图;以及第二图A到第二图D其所绘示的为根据本发明较佳实施例,一种光二极体的结构制造流程剖面图。 |
