发明名称 以逻辑运算改善光学邻近效应之光罩图案修正方法
摘要 一种以逻辑运算改善光学邻近效应之光罩图案修正方法,包括下列步骤:提供一光罩资料,其具有原始线路图案;于原始线路图案之端点各加上一对应之第一小耳朵(serif),并以之作为第一逻辑运算层;取相同之光罩资料,以一既定倍率放大(sizing)其设计线宽,形成放大线路图案;于放大线路图案之端点各加上一对应之第二小耳朵;将第二小耳朵自放大线路图案之端点平移回原始线路图案之端点位置,并以之作为第二逻辑运算层;以及取第二逻辑运算层之第二小耳朵与第一逻辑运算层合并(merge),形成一在不同端点分别具有对应之第一小耳朵与第二小耳朵之线路图案。
申请公布号 TW436913 申请公布日期 2001.05.28
申请号 TW087104318 申请日期 1998.03.23
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 资三德;陈怡旭
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 洪澄文 台北巿信义路四段二七九号三楼
主权项 1.一种以逻辑运算改善光学邻近效应之光罩图案修正方法,包括下列步骤:提供一光罩资料,其具有原始线路图案;于该些原始线路图案之端点各加上一对应之第一小耳朶(serif),并以之作为第一逻辑运算层;取相同之该光罩资料,以一既定倍率放大(sizing)其设计线宽,形成放大线路图案;于该些放大线路图案之端点各加上一对应之第二小耳朶;将该些第二小耳朶自放大线路图案之端点平移回原始线路图案之端点位置,并以之作为第二逻辑运算层;及取该第二逻辑运算层之该些第二小耳朶与该第一逻辑运算层合并(merge),形成一在不同端点分别具有对应之第一小耳朶与第二小耳朶之线路图案。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该些第二小耳朶之尺寸大于该些第一小耳朶。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该光罩资料包括复晶矽层之原始线路图案。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该光罩资料包括金属层之原始线路图案。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中,该既定倍率系大于二分之一之设计线宽。6.如申请专利范围第5项所述之方法,其中该放大(sizing)运算系于各原始线路图案之长宽各加一正偏差値(bias)。7.如申请专利范围第6项所述之方法,其中于进行该放大(sizing)运算时,各原始线路图案之中心点位置不变。8.一种以逻辑运算改善光学邻近效应之光罩图案修正方法,包括下列步骤:提供一光罩资料,其具有原始线路图案;于该些原始线路图案之端点各加上一对应之第一小耳朶(serif),并以之作为第一逻辑运算层;取相同之该光罩资料,以一大于二分之一之设计线宽倍率放大(sizing),形成放大线路图案;于该些放大线路图案之端点各加上一对应之第二小耳朶,其中该些第二小耳朶之尺寸大于该些第一小耳朶;将该些第二小耳朶自放大线路图案之端点平移回原始线路图案之端点位置,并以之作为第二逻辑运算层;及取该第二逻辑运算层之该些第二小耳朶与该第一逻辑运算层合并(merge),形成一在不同端点分别具有对应之第一小耳朶与第二小耳朶之线路图案。图式简单说明:第一图为上视图,系显示一传统光罩图案与分别经i-line和DUV制程后转移在晶圆上的线路图案;第二图A-D为传统光学邻近修正软体之操作步骤流程图;第三图为上视图,系显示依据传统光学邻近修正软体之修正后,施行微影制程而在晶圆上形成的线路图案;第四图系显示本发明之一实施例中,一由金属层或复晶矽之原始线路图案构成之光罩资料;第五图系显示本发明之一实施例中,以一逻辑运算软体于各线路图案端点加上不同尺寸大小之小耳朶的上视图;第六图系显示本发明之一实施例中,对该第四图之光罩资料中,各原始线路图案之端点增加一对应之第一小耳朶(end-cap),作为第一逻辑运算层之上视图;第七图系显示本发明之一实施例中,对该第四图之光罩资料,以一既定倍率放大(sizing)其设计线宽之上视图;第八图系显示本发明之一实施例中,对该放大线路图案之端点增加一对应之第二小耳朶,并自该放大线路图案之端点平移回该原始线路图案之端点位置,作为第二逻辑运算层之上视图;及第九图系显示本发明之一实施例中,取该第二逻辑运算层之该些第二小耳朶与该第一逻辑运算层合并(merge),形成一在不同端点分别具有对应之第一小耳朶与第二小耳朶之线路图案之上视图。
地址 新竹科学工业园区研新一路九号