发明名称 用于制造半导体装置之湿式蚀刻设备及使蚀刻溶液循环于其中之方法
摘要 有一种用以制造半导体装置之湿式蚀刻设备和一种使在该湿式蚀刻设备之内的蚀刻溶液循环的方法被提供,该用以制造半导体装置之湿式蚀刻设体包括一个用以容纳用于蚀刻之晶圆的内槽;一个被连接到该内槽的外槽;一条藉以使蚀刻溶液从内槽的下侧被循环到外槽而供应到该内槽之上侧的循环管;以及一个被装设于循环管之中用以使蚀刻溶液循环的帮浦。
申请公布号 TW436912 申请公布日期 2001.05.28
申请号 TW086119761 申请日期 1997.12.26
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 李承键
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种微电子基板的蚀刻设备,其系包括:一个包括一底壁的第一容器;一个被配置来接收微电子基板于其中以用于处理的第二容器,该第二容器系包括一个界定一大致垂直的轴向之开口顶端部分、一个倾斜的底壁以及一个位于该倾斜的底壁之最上端的部分之下的出口;其中该顶端部分系延伸通过该第一容器的底壁并且与该第一容器为流体相通的;以及用于从该出口循环蚀剂溶液至该第一容器的机构。2.如申请专利范围第1项的设备,其中该第二容器的底壁系相对于该垂直的轴向倾斜95度至105度之间。3.如申请专利范围第2项设备,其中该第二容器的底壁系可调整的。4.如申请专利范围第1项的设备,其中该第二容器的底壁系包括一具有向下收敛的较低部分之圆锥形。5.如申请专利范围第1项的设备,其中该循环机构系包括用于将污染物从该蚀刻溶液过滤出之机构。6.如申请专利范围第1项的设备,其中该循环机构系包括用于沿着该底壁、在大致垂直于该垂直的轴向上供应该蚀刻溶液到该第一容器的机构。7.如申请专利范围第1项的设备,其更包括用于从该循环机构排出污染物与蚀刻溶液的机构。8.一种微电子基板的蚀刻设备,其系包括:一个被配置来接收微电子基板于其中以用于处理的容器,该容器系包括一个界定一大致垂直的轴向之顶端部分、一个倾斜的底壁、一个延伸在该顶部与该倾斜的底壁之间的侧壁、以及一个位于该倾斜的底壁之最上端的部分之下的出口;其中该侧壁系包含复数个形成通过其间、在周围间隔开的孔;一条环形的供应管,其系延伸在该容器侧壁的周围,并且与该容器透过该些孔而为流体相通的;以及用于从该出口循环蚀刻溶液至该环形的供应管的机构。9.如申请专利范围第8项的设备,其中该容器的底壁系相对于该垂直的轴向倾斜95度至105度之间。10.如申请专利范围第8项的设备,其中该第二容器的底壁系包括一具有向下收敛的较低部分之圆锥形。11.如申请专利范围第8项的设备,其中该循环机构系包括用于将污染物从该蚀刻溶液过滤出之机构。12.如申请专利范围第11项的设备,其中循环机构更包括一个位于该过滤机构的上游之帮浦。13.如申请专利范围第8项的设备,其更包括用于从该循环机构排出污染物与蚀刻溶液的机构。14.如申请专利范围第8项的设备,其更包括一条在该环形管与该容器侧壁之间向下延伸之倾斜的供应管。15.如申请专利范围第14项的设备,其中该倾斜的供应管系相对于该垂直的轴向倾斜75度至85度之间。16.如申请专利范围第14项的设备,其中该倾斜的供应管之倾斜是可调整的。17.一种微电子基板的蚀刻设备,其系包括:一个被配置来接收微电子基板于其中以用于处理的容器,该容器系包括一个界定一大致垂直的轴向之顶端部分、一个倾斜的底壁、一个延伸在该顶部与该倾斜的底部之间的侧壁、以及一个位于该倾斜的底壁之最上端的部分之下的出口;一条第一环形的供应管,其系延伸在该容器侧壁的周围,并且经由穿过侧壁所形成的第一复数个孔而与该容器为流体相通的;一条第二环形的供应管,其系位于该第一环形的供应管之下,并且延伸在该容器侧壁的周围,该第二环形的供应管系经由穿过侧壁所形成的第二复数个孔而与该容器为流体相通的;其中该等第一与第二环形的供应管系为流体相通的;以及用于从该出口循环蚀刻溶液至该第一环形的供应管的机构。18.如申请专利范围第17项的设备,其中该容器的底壁系相对于该垂直的轴向倾斜95度至105度之间。19.如申请专利范围第17项的设备,其更包括一条第一倾斜供应管,其系向下延伸在该第一环形的供应管以及该容器侧壁之间、以及一条第二倾斜供应管,其系向下延伸在该第二环形的供应管以及该容器侧壁之间。20.如申请专利范围第17项的设备,其中该等第一与第二倾斜的供应管系相对于该垂直的轴向倾斜75度至85度之间。21.一种使蚀刻溶液循环通过一用以蚀刻微电子基板之装置的方法,其中该装置系包括申请专利范围第1项之基板的蚀刻设备,该方法系包括步骤有:(a)从该装置的出口移出蚀刻溶液;(b)从所移出的蚀刻溶液过滤出污染物以供应乾净的蚀刻溶液;并且(c)在内含于其中之微电子基板之上供应乾净的蚀刻溶液进入到该装置之中。22.如申请专利范围第21项之方法,其中该步骤(c)系包括在大致垂直于垂直方向上供应蚀刻溶液进入到该装置之中。23.如申请专利范围第21项之方法,其更包括从所移出的蚀刻溶液排出污染物至一废料容器之步骤。图式简单说明:第一图系一个显示用以制造半导体装置之传统的湿式蚀刻设备之示意图;第二图系一个显示依照本发明之用以制造半导体装置之湿式蚀刻设备的一个实施例之示意图;第三图系一个显示依照本发明之用以制造半导体装置之湿式蚀刻设备的另一个实施例之示意图;第四图系一个显示依照本发明之用以制造半导体装置之湿式蚀刻设备的又一个实施例之示意图;第五图系一个显示依照本发明之用以制造半导体装置之湿式蚀刻设备的再一个实施例之示意图;以及第六图系一个显示依照本发明之用以制造半导体装置之湿式蚀刻设备的又再一个实施例之示意图。
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