| 主权项 |
1.一种降低反窄线效应的方法,适用于具有浅沟渠隔离结构之积体电路的制程中,该方法包括:提供具有一垫氧化层之一半导体基底;于该垫氧化层上形成具有图案之一覆盖层,以定义出一主动区与一隔离区,其中,该覆盖层完全覆盖该主动区,并暴露出该隔离区;于该基底中形成一掺杂区紧接于该基底的表面,其中该掺杂区的范围包括该隔离区中之该基底以及该主动区之边缘之该基底;于该隔离区中形成一浅沟渠,其中该浅沟渠紧邻该主动区;形成一氧化层填满该浅沟渠,其中该氧化层之上表面与该覆盖层之上表面等高;移除该覆盖层与该垫氧化层,以使位于该主动区内之该基底完全暴露出来;形成一闸氧化层覆盖于位于该主动区内之该基底;以及形成一闸极覆盖于该闸氧化层。2.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中形成该掺杂区的方法包括以该覆盖层为罩幕,利用斜向布植技术对该主动区边缘以及该隔离区内之该基底植入硼。3.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中该覆盖层包括由一氮化层与一盖氧化层所组成。4.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中形成该浅沟渠的方法包括移除位于该隔离区内之该垫氧化层与该掺杂区以及部分该基底。5.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中该方法更包括于形成该闸氧化层之前进行一改善该主动区中之该基底表面的步骤,该步骤包括:于该主动区中形成一牺牲氧化层覆盖该基底;以及移除该牺牲氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中形成该氧化层的方法包括:形成一氧化物全面覆盖该基底,并填满该浅沟渠;进行一密实化步骤;以及化学机械研磨该氧化物至该覆盖层之上表面的高度。7.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中形成该氧化物的方法包括常压化学气相沉积法。8.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中该方法更包括于形成该氧化层之前,形成一衬氧化层覆盖于该浅沟渠的内壁。9.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中形成该闸氧化层的方法包括热氧化法。10.一种降低反窄线效应的方法,包括:提供一基底;于该基底定义出一主动区与一隔离区;于该主动区边缘之该基底中形成一掺杂区,其中该掺杂区紧邻于该基底之表面;以及于该隔离区中形成一浅沟渠,其中该浅沟渠与该主动区相邻。11.如申请专利范围第10项所述之降低反窄线效应的方法,其中于该基底定义出该主动区与该隔离区的方法包括于该基底上形成具有图案之一覆盖层,其中该基底被该覆盖层所覆盖的部份为主动区,而未被该覆盖层所覆盖的部份为隔离区。12.如申请专利范围第10项所述之降低反窄线效应的方法,其中该覆盖层包括由一氮化层与一盖氧化层所组成。13.如申请专利范围第10项所述之降低反窄线效应的方法,其中形成该掺杂区的方法包括以该覆盖层为罩幕,利用斜向布植技术对位于该主动区边缘之该基底植入硼。14.如申请专利范围第10项所述之降低反窄线效应的方法,其中该方法更包括形成一闸氧化层与一闸极覆盖位于该主动区内之该基底。15.一种降低反窄线效应的方法,适用于动态随机存取记忆体之记忆胞的制程中,该方法包括:提供一基底,其中该基底已定义有一主动区与一隔离区;于该主动区边缘之该基底中形成一掺杂区,其中该掺杂区紧邻于该基底之表面;以及于该隔离区中形成一浅沟渠,其中该浅沟渠紧接于该主动区。16.如申请专利范围第15项所述之降低反窄线效应的方法,其中形成该掺杂区的方法包括以该覆盖层为罩幕,利用斜向布植技术对位于该主动区边缘之该基底植入硼。17.如申请专利范围第15项所述之降低反窄线效应的方法,其中该方法更包括形成一闸氧化层与一闸极覆盖位于该主动区内之该基底。图式简单说明:第一图A至第一图F绘示依照本发明之一较佳实施例,一种降低反窄线效应的方法的流程剖面图。 |
