| 主权项 |
1.一种处理高纵横比结构之制程,包含下列步骤:A.提供一基板,该基板具有一表面与位于该表面上之至少一开孔,该开孔具有一高纵横比;B.提供一被汽化的第一化学物质至该至少一开孔;以及C.提供一第二化学物质至该至少一开孔中。2.如申请专利范围第1项之处理高纵横比结构之制程,其中该开孔系由至少一侧壁与一底部所定义。3.如申请专利范围第2项之处理高纵横比结构之制程,其中该被汽化的第一化学物质系凝结至该至少一开孔中,以实质上形成一预备层于该至少一侧壁与该底部。4.如申请专利范围第1项之处理高纵横比结构之制程,其中该制程系实施于一处理室内。5.如申请专利范围第4项之处理高纵横比结构之制程,其中该处理室系实质上保持于一饱和蒸气压中。6.如申请专利范围第4项之处理高纵横比结构之制程,其中该基板系自旋或被转动于该处理室内。7.如申请专利范围第1项之处理高纵横比结构之制程,其中该被汽化的第一化学物质与该第二化学物质系液体。8.如申请专利范围第1项之处理高纵横比结构之制程,其中该被汽化的第一化学物质和该第二化学物质,实质上包含至少一组成份是相同的。9.如申请专利范围第1项之处理高纵横比结构之制程,其中该被汽化的第一化学物质实质上系该第二化学物质之溶剂部份。10.如申请专利范围第1项之处理高纵横比结构之制程,其中该基板之温度系低于该被汽化的第一化学物质之温度。11.如申请专利范围第1项之处理高纵横比结构之制程,其中该基板系一半导体晶片或一液晶显示(LCD)玻璃。12.如申请专利范围第1项之处理高纵横比结构之制程,其中该第二化学物质系用以清洁、涂布、或蚀刻该至少一开孔。13.如申请专利范围第1项之处理高纵横比结构之制程,其中该步骤B与该步骤C是重复实施的。14.一种处理高纵横比结构之制程,包含下列步骤:A.提供一基板,该基板具有一表面与位于该表面上之至少一开孔,该开孔系由至少一侧壁与一底部所定义,该开孔具有一高纵横比;B.放置该基板于一处理室内;C.提供一第一液体化学物质;D.汽化该第一液体化学物质至该处理室内,以使其凝结至该至少一开孔中,而实质上形成一原子层于其侧壁与底部;E.提供一第二液体化学物质,其实质上包含至少一组成份,该至少一组成份亦包含于该第一液体化学物质中;以及F.导引该第二液体化学物质至该处理室内,该处理室系实质上保持于一饱和蒸气压中,俾使该第二液体化学物质进入该至少一开孔中,以达成清洁、涂布、或蚀刻之目的。15.如申请专利范围第14项之处理高纵横比结构之制程,其中该被汽化的第一液体化学物质实质上系该第二液体化学物质之溶剂部份。16.如申请专利范围第14项之处理高纵横比结构之制程,其中该基板之温度系低于该被汽化的第一液体化学物质之温度。17.如申请专利范围第14项之处理高纵横比结构之制程,其中该基板系一半导体晶片或一液晶显示(LCD)玻璃。18.如申请专利范围第14项之处理高纵横比结构之制程,其中该第二液体化学物质系用清洁、涂布、或蚀刻该至少一开孔。19.如申请专利范围第14项之处理高纵横比结构之制程,其中该步骤D、E、与F系重复施行。20.如申请专利范围第14项之处理高纵横比结构之制程,其中该基板系自旋或被转动于该处理室内。图式简单说明:第一图A与第一图B分别系位于基板中之高纵横比结构之切开图与剖面图,显示形成于基构板之表面上之液体化学物质;第二图系显示依据本发明之凝结的预备层之剖面图,该凝结的预备层形成于高纵横比结构之开孔内部;第三图系显示依据本发明,为了清洁、涂布、或蚀刻之目的,填满开孔之化学物质之剖面图;第四图系显示处理室之例示组态,其可使用于依据本发明之制程中;以及第五图A与第五图B系分别显示在先前技术中与本发明中,沉积于基板上之膜之不均匀性。 |
