| 主权项 |
1.一种形成焊球之方法,形成在基材表面上垫片,包含步骤为:供应焊料至型板,型板具一些通孔分别对应于基材之垫片,使焊料填入通孔,型板具一上侧及一底侧;以刮刀刮型板之侧以除去过量焊料;及使型板相对基材,而垫片分别对齐通孔,以压力外壳盖住相对于基材之型板之侧,并增加压力外壳中压力,以压力外壳内外压力差挤出型板之熔化焊料至基材垫片侧。2.如申请专利范围第1项之方法,其中焊料填入步骤中供至型板通孔之焊料为熔化焊料,减压外壳作用至型板上侧,其内界定一减压室,以减压室之减压将熔化焊料吸入通孔。3.如申请专利范围第1项之方法,其中焊料转移步骤中以钝气供入压力外壳。4.一种焊球形成装置,供附着焊球至基材表面上垫片,装置包含:一水平片水平放置,有一开口;一型板,可关闭支承片之开口,具一些通孔分别对应于基材之垫片,型板具一上侧及一底侧;填入机构,以焊料填入型板之通孔;一对刮刀,可就型板之侧刮除溢出通孔之过量焊料;基材支承机构,支承基材使通孔填入焊料之型板与基材相对,垫片分别与通孔对齐;加热机构,以基材支承机构支承基材时加热焊料;及一压力外壳,盖住与基材面对之型板之侧,该侧与基材相对,增加压力外壳内压力,焊料由型板通孔挤出至基材之垫片侧。5.如申请专利范围第4项之焊球形成装置,其中支承片卷绕于一对滚子上,另包含滚子驱动机构供驱动滚子以驱动支承片,将型板移动,由焊料填入机构设置之焊料填入步骤至设置基材支承机构之焊料转移步骤。6.如申请专利范围第4项之焊球形成装置,其中焊料填入机构包含一焊料库在型板下方以保留熔化焊料,一焊料喷口升起熔化焊料之表面,一减压外壳置于型板上方以气密盖住型板上侧,及减压机构可于减压外壳附着型板时降低其中压力。7.如申请专利范围第5项之焊球形成装置,其中焊料填入机构包含一焊料库在型板下方以保留熔化焊料,一焊料喷口升起熔化焊料之表面,一减压外壳置于型板上方以气密盖住型板上侧,及减压机构可于减压外壳附着于型板时降低其中压力。8.如申请专利范围第4项之焊球形成装置,其中焊料填入机构包含一挤器可供焊浆挤入型板之通孔。9.如申请专利范围第4项之焊球形成装置,另包含一钝气源,以供应钝气至压力外壳内。10.如申请专利范围第5项之焊球形成装置,另包含一钝气源,以供应钝气至压力外壳内。11.如申请专利范围第6项之焊球形成装置,另包含一钝气源,以供应钝气至压力外壳内。12.如申请专利范围第7项之焊球形成装置,另包含一钝气源,以供应钝气至压力外壳内。13.如申请专利范围第8项之焊球形成装置,另包含一钝气源,以供应钝气至压力外壳内。图式简单说明:第一图为本发明焊球形成装置一例示意侧视图;第二图为焊球形成装置之示意平面图;第三图为支承片及型板立体图;第四图为半导体封装立体图;第五图为半导体封装之部分放大截面图;第六图为第一图沿线6-6之通孔填入步骤放大截面;第七图为通孔填入步骤之放大纵向截面正面;第八图为焊料转移步骤之放大纵向截面正面;第九图为其上形成焊球之半导体封装之放大截面图;第十图为本发明焊球形成装置另例之示意侧视图;第十一图为通孔填入步骤中型孔之放大截面图;第十二图为过量焊料除去步骤中型板之放大截面图;第十三图为焊料转移步骤之截面图;第十四图为焊料转移步骤中放大截面图,滚子采较低位置;第十五图为焊料转移步骤中放大截面图,滚子采较高位置;及第十六图A至第十六图D为习知焊球形成方法之截面图。 |
