| 主权项 |
1.一种均匀且具缓和圆角度之渠沟内衬层的形成方法,其实施步骤包括有:a.于一起始晶圆上,依序形成热氧化层与CVD氮化矽层;b.以微影与蚀刻形成渠沟结构;c.以低流量氧气,在第一温度环境下热氧化所述渠沟;d.以抵流量氧气,在第二温度环境下热氧化所述渠沟,其中所述之第二温度较第一温度为高。2.如申请专利范围第1项之一种均匀且具缓和圆角度之渠沟内衬层的形成方法,其中步骤a所述之晶圆,系为半导体晶圆。3.如申请专利范围第2项之一种均匀且具缓和圆角度之渠沟内衬层的形成方法,其中所述之半导体晶圆,系为矽晶圆。4.如申请专利范围第1项之一种均匀且具缓和圆角度之渠沟内衬层的形成方法,其中步骤b所述之蚀刻方式,系为乾式蚀刻。5.如申请专利范围第4项之一种均匀且具缓和圆角度之渠沟内衬层的形成方法,其中所述之乾式蚀刻,系为非等向性乾式蚀刻。6.如申请专利范围第5项之一种均匀且具缓和圆角度之渠沟内衬层的形成方法,其中所述之非等向性乾式蚀刻,系为电浆蚀刻。7.如申请专利范围第1项之一种均匀且具缓和圆角度之渠沟内衬层的形成方法,其中步骤c所述之低流量氧气,其流量约在1L左右。8.如申请专利范围第1项之一种均匀且具缓和圆角度之渠沟内衬层的形成方法,其中步骤c所述之热氧化渠沟,其第一温度环境之热氧化温度,系介于800℃至900℃之间。9.如申请专利范围第1项之一种均匀且具缓和圆角度之渠沟内衬层的形成方法,其中步骤d所述之低流量氧气,其流量系介于0.2L至0.5L之间。10.如申请专利范围第1项之一种均匀且具缓和圆角度之渠沟内衬层的形成方法,其中步骤d所述之热氧化渠沟,其第二温度环境之热氧化温度,系介于1000℃至1100℃之间。图式简单说明:第一图系为一制作进行中之晶圆,显示一矽晶圆上所形成之渠沟的剖面结构图。第二图系为一制作进行中之晶圆,显示第一图之结构,经800℃-900℃氧化制程,于渠沟下缘形成缓和圆角度之内衬层之剖面结构图。第三图系为一制作进行中之晶圆,显示第二图之结构,再经1000℃-1100℃之氧化制程,消除渠沟上缘尖角,而形成均匀且具缓和圆角度之内衬层后的剖面结构图。 |
