| 主权项 |
1.一种多晶片半导体封装结构,包括有:复数个晶片,其包含有至少一第一晶片及一第二晶片,各个晶片均具有一件动面及一非作动面,且于各个晶片的作动面上均设有复数个连接垫以成为晶片上之电路与外界连结之介面;一导线架,其具有复数个引脚,该第二晶片之作动面上的复数个连接垫系藉由一技术手段分别耦合于对应之引脚上,且第一晶片之非作动面系结合于导线架上;复数个锡球,分别设置于该第一晶片之作动面上相对应的复数个连接垫上;以及封装树脂,用于包覆前述之晶片而成为一体之半导体封装结构,且该复数个引脚及锡球系露出于封装树脂外以成为与外界连结之介面。2.如申请专利范围第1项所述之多晶片半导体封装结构,其中,该连接垫系为铝垫(Al Pad)。3.如申请专利范围第1项所述之多晶片半导体封装结构,其中,用于耦合第二晶片之连接垫与相对应之引脚的该技术手段系为焊线(Wire Bonding)。4.如申请专利范围第1项所述之多晶片半导体封装结构,其中,用于耦合第二晶片之连接垫与相对应之引脚的该技术手段,系藉由焊料直接将第二晶片之连接垫焊接于相对应之引脚上,并因此将第二晶片结合固定于导线架上。5.如申请专利范围第1项所述之多晶片半导体封装结构,其中,该第二晶片之非作动面与第一晶片之非作动面之间系藉由银胶(Epoxy)将其两者结合。6.如申请专利范围第1项所述之多晶片半导体封装结构,其中,该第一晶片之非作动面系藉由热熔性双面胶带贴合于导线架未与第二晶片耦合的一侧面上。7.如申请专利范围第1项所述之多晶片半导体封装结构,其中,第一晶片上之电路并未直接与第二晶片上之电路耦合。8.如申请专利范围第1项所述之多晶片半导体封装结构,其中,导线架之引脚并未直接与锡球耦合。9.如申请专利范围第1项所述之多晶片半导体封装结构,其中,该第一晶片与第二晶片系为具有不同功能之晶片。10.如申请专利范围第1项所述之多晶片半导体封装结构,其中,该第一晶片与第二晶片系为具有相同功能之晶片。11.一种多晶片半导体封装结构,至少包括有一第一晶片及一第二晶片,各个晶片均具有一件动面及一非作动面,且于各个晶片的作动面上均设有复数个连接垫以成为晶片上之电路与外界连结之介面,该两晶片系藉由封装树脂加以包覆而成为一体之半导体封装结构,其特征在于:该第一晶片系位于第二晶片下方且第一晶片之作动面系朝向下方,于第一晶片之作动面上之连接垫上设置有锡球露出于封装树脂外以成为第一晶片上之电路与外界连结之介面;并且,第二晶片之作动面上之连接垫系耦合于一导线架之引脚上,引脚系延伸露出于封装树脂外并延伸朝向该半导体封装结构具有锡球之一侧以成为第二晶片上之电路与外界连结之介面。12.一种多晶片半导体封装结构之制法,其中之各个晶片均具有一作动面及一非作动面,该制法包括有下列步骤:(a)于一第一晶片之非作动面上结合一具有复数个引脚之导线架;(b)将一第二晶片之非作动面结合于第一晶片之非作动面上;(c)进行焊线以将第二晶片之作动面连接耦合于导线架之引脚上;以及(d)于第一晶片之作动面上之适当位置处植入复数个内球,并进行封装树脂的灌注封装以包覆该第一、第二晶片,且该引脚及内球均至少有一部份系露出于封装树脂外。13.如申请专利范围第12项所述之多晶片半导体封装结构之制法,在(d)步骤后更包括有下列步骤:(e)植入复数个锡球于该复数个内球的位置上;以及(f)进行引脚的弯脚成型加工使引脚朝向具锡球之方向延伸一预定之角度及长度。14.如申请专利范围第12项所述之多晶片半导体封装结构之制法,其中,该第二晶片之非作动面与第一晶片之非作动面之间系藉由银胶(Epoxy)将其两者结合。15.如申请专利范围第12项所述之多晶片半导体封装结构之制法,其中,该第一晶片之非作动面系藉由热熔性双面胶带贴合于导线架末与第二晶片耦合的一侧面上。16.如申请专利范围第12项所述之多晶片半导体封装结构之制法,其中,第一晶片上之电路并未直接与第二晶片上之电路耦合。17.如申请专利范围第13项所述之多晶片半导体封装结构之制法,其中,导线架之引脚并未直接与锡球耦合。18.如申请专利范围第12项所述之多晶片半导体封装结构之制法,其中,该第一晶片与第二晶片系为具有不同功能之晶片。19.如申请专利范围第12项所述之多晶片半导体封装结构之制法,其中,该第一晶片与第二晶片系为具有相同功能之晶片。20.一种多晶片半导体封装结构之制法,其中之各个晶片均具有一件动面及一非作动面,该制法包括有下列步骤:(a)于一第二晶片之作动面上的适当位置处植入复数个可导电性焊料以成为第二晶片上之电路与外界连结之介面;(b)将第二晶片之复数个焊料以热熔接的方式分别结合于一导线架之复数个相对应的引脚上;(c)将一第一晶片之非作动面结合于该导线架相对于第二晶片之另一侧面上;以及(d)于第一晶片之作动面上之适当位置处植入复数个内球,并进行封装树脂的灌注封装以包覆该第一、第二晶片,且该引脚及内球均至少有一部份系露出于封装树脂外。21.如申请专利范围第20项所述之多晶片半导体封装结构之制法,在(d)步骤后更包括有下列步骤:(e)植入复数个锡球于该复数个内球的位置上;以及(f)进行引脚的弯脚成型加工使引脚朝向具锡球之方向延伸一预定之角度及长度。22.如申请专利范围第20项所述之多晶片半导体封装结构之制法,其中,该第一晶片之非作动面系藉由热熔性双面胶带黏贴结合于该导线架相对于第二晶片之另一侧面上。23.如申请专利范围第20项所述之多晶片半导体封装结构之制法,其中,第一晶片上之电路并未直接与第二晶片上之电路耦合。24.如申请专利范围第20项所述之多晶片半导体封装结构之制法,其中,导线架之引脚并未直接与锡球耦合。25.如申请专利范围第20项所述之多晶片半导体封装结构之制法,其中,该第一晶片与第二晶片系为具有不同功能之晶片。26.如申请专利范围第20项所述之多晶片半导体封装结构之制法,其中,该第一晶片与第二晶片系为具有相同功能之晶片。图式简单说明:第一图为习用技术之多晶片半导体封装结构之一例图。第二图为习用技术之多晶片半导体封装结构之另一例图。第三图系为本发明之多晶片半导体封装结构之一较佳实施例图。第四图A-第四图F系为第三图所示实施例结构之制程步骤流程的一较佳实施例。第五图系为本发明之多晶片半导体封装结构之另一较佳实施例图。第六图A-第六图F系为第五图所示实施例结构之制程步骤流程的一较佳实施例。 |
