发明名称 表面声波装置
摘要 本发明系有关一种表面声波装置,包括:一表面声波基片,具有第一和第二末端表面;及一表面声波元件,安装于表面声波基片上,并使用一SH型表面声波而操作。该表面声波元件包括:一内部数位转换器,具有多数之电极指;及一反射器,具有多数之电极指。一对最外部之电极指系与表面声波基片之第一和第二末端表面其中之一表面齐平,而该反射器系安装于另一对最外部之电极指之一侧,因此,一被IDT所激发之SH型表面声波形成于该反射器与第一和第二末端表面其中之一表面之间。
申请公布号 TW437165 申请公布日期 2001.05.28
申请号 TW087110149 申请日期 1998.06.24
申请人 村田制作所股份有限公司 发明人 门田 道雄;堀内 秀哉;池浦守
分类号 H03H9/15 主分类号 H03H9/15
代理机构 代理人 林镒珠 台北市长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种表面声波装置,包括:一表面声波基片,具有第一和第二末端表面;及一表面声波元件,安装于表面表面声波基片上,并使用一截面水平型表面声波而操作,该表面声波元件包括;一内部数位转换器,具有多数之电极指;及一反射器,具有多数之电极指,其中一对最外部之电极指系表面声波基片之第一和第二末端表面其中之一表面齐平,而反射器系安装于另一对最外部之电极指之一侧,因此,一被IDT所激发之截面水平型表面声波形成于反射器与第一和第二末端表面其中之一表面之间。2.如申请专利范围第1项所述之表面声波装置,其更包括多数之表面声波元件,每一表面声波元件包括:一内部数位转换器,具有多数之电极指;及一反射器,具有多数之电极指,其中一对最外部之电极指系与表面声波基片之第一和第二末端表面其中之一表面齐平,而该反射器系安装于另一对最外部之电极指之一侧,因此,一被IDT所激发之截面水平型表面声波形成于该反射器与第一和第二末端表面其中之一表面之间。3.如申请专利范围第2项所述之表面声波装置,其中该多数之表面声波元件连接于一梯形电路。4.如申请专利范围第3项所述之表面声波装置,其中第一组之多数之表面声波元件构成梯形电路之并联谐振器,并安装以使其中一对外部之电极指与表面表面声波基片之第一末端表面齐平,而第二组之多数之表面声波元件构成梯形电路之串联谐振器,并安装以使其中一对最外部之电极指与该表面声波基片之第二末端表面齐平。5.如申请专利范围第4项所述之表面声波装置,其更包括多数之连接电极,安装于表面声波基片上,其中第一组与第二组之表面声波元件系藉由多数之连接电极而被电连接。6.如申请专利范围第2项所述之表面声波装置,其中该多数之表面声波元件连接于一格子状电路。7.如申请专利范围第6项所述之表面声波装置,其中第一组之多数之表面声波元件被安装,以使其中之一对最外部之电极指与该表面声波基片之第一末端表面齐平,而第二组之多数之表面声波元件被安装,以使其中之一对最外部之电极指与该表面声波基片之第二末端表面齐平。8.如申请专利范围第7项所述之表面声波装置,其更包括多数之连接电极,安装于表面声波基片上,其中第一组与第二组之表面声波元件系藉由多数之连接电极而被电连接。9.如申请专利范围第1项所述之表面声波装置,其中该反射器为一光栅反射器。10.一种表面声波装置,包括:一表面声波基片,具有第一和第二末端表面;及至少一表面声波元件,安装于表面声波基片上,并使用一截面水平型表面声波而操作,该至少一表面声波元件包括:一内部数位转换器,具有多数之电极指;及一单反射器,具有多数之电极指。11.如申请专利范围第10项所述之表面声波装置,其中至少一表面表面声波元件被安装于表面声波基片上,如此,该内部数位转换器之第一末端与表面声波基片上之第一末端表面齐平,及该内部数位转换器之第二末端位于靠近表面声波基片之第二末端表面,并且该单反射器位于该内部数位转换器之第二末端与该表面声波表面基片之第二末端表面之间。12.如申请专利范围第10项所述之表面声波装置,其中一对最外部之电极指系与表面声波基之第一和第二末端表面其中之一表面齐平,而该单反射器系安装于另一对最外部之电极指之一侧,因此,一被IDT所激发之截面水平型表面声波形成于该单反射器与第一和第二末端表面其中之一表面之间。13.如申请专利范围第10项所述之表面声波装置,其更包括多数之表面声波元件,每一表面声波元件包括;一内部数位转换器,具有多数之电极指;及一单反射器,具有多数之电极指。14.如申请专利范围第13项所述之表面声波装置,其中该多数之表面声波元件连接于一梯形电路。15.如申请专利范围第14项所述之表面声波装置,其中第一组之多数之表面声波元件构成梯形电路之并联谐振器,并安装以使其中一对最外部之电极指与表面声波基片之第一末端表面齐平,而第二组之多数之表面声波元件构成梯形电路之串联谐振器,并安装以使其中一对最外部之电极指与该表面声波基片之第二末端表面齐平。16.如申请专利范围第15项所述之表面声波装置,其更包括多数之连接电极,安装于表面声波基片上,其中第一组与第二组之表面声波元件系藉由多数之连接电极而被电连接。17.如申请专利范围第13项所述之表面声波装置,其中该多数之表面声波元件连接于一格子状电路。18.如申请专利范围第17项所述之表面声波装置,其中第一组之多数之表面声波元件被安装,以使其中一对最外部之电极指与该表面声波基片之第一末端表面齐平,而第二组之多数之表面声波元件被安装,以使其中之一对最外部之电极指与该表面声波基片之第二末端表面齐平。19.如申请专利范围第17项所述之表面声波装置,其更包括多数之连接电极,安装于表面声波基片上,其中第一组与第二组之表面声波元件系藉由多数之连接电极而被电连接。20.如申请专利范围第10项所述之表面声波装置,其中该单反射器为一光栅反射器。图式简单说明:第一图A系表示一传统的梯形滤波器之立体图。第一图B系表示第一图A中所示之梯形滤波器之相等电路。第二图系表示使用于本发明之较佳实施例之SAW装置中之SAW元件之立体图。第三图A系表示本发明之较佳实施例之SAW装置所形成之梯形电路之立体图。第三图B系表示第三图A中所示之SAW装置之相等电路。第四图A系表示本发明之第二较佳实施例之SAW装置所形成之格子状电路之立体图。第四图B系表示第四图A中所示之SAW装置之相等电路。第五图系表示本发明之另一较佳实施例之SAW装置之概要图。第六图系表示本发明之另一较佳实施例之SAW装置之概要图。第七图系表示本发明之另一较佳实施例之SAW装置之概要图。第八图系表示本发明之另一较佳实施例之SAW装置之概要图。第九图系表示本发明之另一较佳实施例之SAW装置之概要图。
地址 日本