| 主权项 |
1.一种提供电连接至一导电层的方法,包括以下步骤:将一介质材料之第一层沉积于一导电层上,第一层之最上方表面界定一第一表面;蚀刻第一层以形成位于第一表面下方之第二表面;仅在第二表面上整片地形成一第一导电材料之第二层;及在第二层上选择性沉积一第二导电材料。2.如申请专利范围第1项之方法,其中形成一第二层之步骤包括在第一与第二表面上形成第二层,及移除某些的第二层以露出第一表面之部份。3.如申请专利范围第2项之方法,其中移除的步骤包括回蚀刻步骤或研磨步骤其中之一。4.如申请专利范围第1项之方法,其中蚀刻第一层之步骤包括在第一层中形成一沟渠之图案。5.如申请专利范围第4项之方法,其中蚀刻步骤又包括形成至少一接触孔穿过导电层,其中第二表面之一系为一导电层之表面。6.如申请专利范围第2项之方法,其中移除步骤使整个第一表面露出。7.如申请专利范围第1项之方法,其在沉积一第二导电材料之步骤之后,又包括一蚀刻步骤。8.如申请专利范围第1项之方法,其中导电层包括主动元件。9.如申请专利范围第1项之方法,其中导电层系为一互连层。10.一种在半导体元件中形成互连方法,包含以下步骤:将一绝缘层形成于一第一导电层上,将至少一第一开口形成至绝缘层中;整片地形成一第一导电材料之一线性层于绝缘层上,包括第一开口内的绝缘部份;将位于第一开口以外的线性层部份移除;及选择性沉积一第二导电材料于线性层的剩余部份上,藉此在位于第一导电层之阶层上方的阶层处形成互连。11.如申请专利范围第10项之方法,其中第一开口系为一沟渠,其被形成于一绝缘层中。12.如申请专利范围第10项之方法,其中第一开口系为一接触孔,其被形成穿过绝缘层通向第一导电层。13.如申请专利范围第10项之方法,其中第一导电材料具有一沉积速率不同于组成绝缘层材料之沉积速率。14.如申请专利范围第10项之方法,其中沉积一第二导电材料之步骤之后,又包括一蚀刻步骤。15.如申请专利范围第10项之方法,其中第一导电层包括主动元件。16.如申请专利范围第10项之方法,其中第一导电层系为一互连层。17.一种提供两导电层间之电连接之方法,包含以下步骤:形成一第一层,其具有主动元件或互连轨迹;将一绝缘材料之第二层沉积于第一层上;将一沟渠之图案形成于第二层中;形成一组接触孔穿过第二层通向第一层,如此露出第一层之部份;整片地形成一第一导电材料之第三层于第二层上及于第一层之露出部份上;将沟渠与接触孔以外之第二层部份露出,以使得位于沟渠与接触孔中之第三层之部份保留;及选择性沉积一第二导电材料于剩余的第三层之部份上,藉此提供一导电通路至第一层之露出部份。18.如申请专利范围第17项之方法,其在沉积一第二导电材料之步骤之后,又包括一蚀刻步骤。19.如申请专利范围第17项之方法,其在沉积一第二导电材料之步骤系为一无电镀步骤。20.如申请专利范围第17项之方法,其在沉积一第二导电材料之步骤系为一化学气相沉积步骤。图式简单说明:第一图A至第一图F显示本发明之处理步骤。 |
