发明名称 具自我对准电介质及电极之光界定整体电容器以及其方法
摘要 本发明为一种制造微电子组件,使其具有校准之导电区及电介质区之方法,例如,制造整体电容(32)时,一般均须要提供一具第一导电层(12)之基板(10),在第一导电层上形成一电介质层(14),然后在电介质层(16)上形成一第二导电层。而后该第二导电层之一第一区被移除用以曝露该电介质层之一第一区,接着该区也被移除用以曝露该亦被移除之第一导电层之一第一区。在该过程中,藉由使用该一或数个覆盖层做为遮罩而将该导电层及电介质层之第一区的每一区予以移除,因而剩余的该等层之第二区均有相同之范围。
申请公布号 TW436970 申请公布日期 2001.05.28
申请号 TW088121568 申请日期 1999.12.09
申请人 摩托罗拉公司 发明人 葛罗利 J. 当恩;乔唯卡沙唯克;亚利森 布勒;明孝 赞
分类号 H01L21/76 主分类号 H01L21/76
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种制造电路板之方法,该方法包括以下步骤:提供一具有一第一与第二区域之第一导电层之基底;施加一电介质材料于该第一导电层上以便在其上形成电介质层;施加一第二导电层于该电介质层上;移去该第二导电层之一第一区域以曝露该电介质层之一第一区域,该第二导电层之一第二区域保留并覆盖该电介质层之一第二区域;移去该电介质层之第一区域以曝露该第一导电层之第一区域,该电介质层之第二区域保留并覆盖该第一导电层之第二区域;而后移去该第一导电层之第一区域,使该第一导电层、电介质层及第二导电层之该等第二区域成为相同之范围。2.如申请专利范围第1项之方法,其中移去该电介质层之第一区域之步骤为一显影步骤,该步骤运用该第二导电层之第二区域为光罩。3.如申请专利范围第1项之方法,其中移去该第一导电层之第一区域之步骤为一蚀刻步骤,该步骤运用该电介质层之第二区域为一遮罩。4.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二导电层为一包含一聚于该电介质层之铜层的金属片,以及一镀于该电介质层对面之上层的锡层。5.如申请专利范围第1项之方法,尚包括以下步骤:形成一覆盖及环绕该第一导电层、电介质层及第二导电层之第二区域的第二电介质层;而后经由该第二电介质层形成与该第二导电层之第二区域之接触。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该电介质层为一包含一陶瓷粒子扩散之正向感光电介质材料。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一及第二导电层之第二区域分别界定第一及第二电容器电极,而该电介质层之第二区域界定该第一及第二电容器电极之间的一电容器电介质。8.一种制造电路板之方法,该方法包括以下步骤:提供一具有第一及第二区域之铜层的基板;施加一正向反应感光电介质材料于该铜层之第一及第二区域以于其上形成一电介质层,该感光电介质材料包含于一环氧树脂基体矩阵中之陶瓷粒子;将该电介质层覆以具有一牺牲层之铜片;经过该牺牲层蚀刻该铜片之第一区,以曝露该电介质层之第一区,该牺牲层之剩余部份及该铜片之一第二区保留并覆盖该电介质层之一第二区;使用该牺牲层之保留部份及该铜片第二区域做为光罩,将该电介质层之第一区予以曝光及显影,该电介质层之第一区域被移除以曝光该铜层之第一区,该电介质层第二区保留并覆盖该铜层之第二区;使用该电介质层第二区做为蚀刻之遮罩移除该铜层之第一区,使该铜层、电介质及铜片等之第二区有相同之范围;从铜片上移除该牺牲层之剩余部份;形成一覆盖及环绕该铜层、电介质及铜片上之第二区域之第二电介质层;而后经该第二电介质层形成一与该铜片之接触点。9.如申请专利范围第8项之方法,其中该铜片之第二区及该铜层分别界定第一及第二电容器电极,且该电介质层之第二区界定该第一及第二电容器电极间之电容器电介质。10.一种电路板,包括:一第一导电区;一在该第一导电区上之电介质区,该电介质区系由一种包含陶瓷粒子之感光材料所形成;一在该电介质区上之第二导电区,该电介质区位于该第一及第二导电区之间,并与该第一及第二导电区有相同之范围;一覆盖及环绕该第一及第二导电区及该电介质区之电介质层;以及经由该电介质层形成一与该第一导电区之接触点。图式简单说明:第一图及第二图呈现根据先前技艺之电容器结构之剖面图;另外,第三图至第八图之剖面图则呈现形成依据本发明之具有自我校准之整体电容之过程步骤。
地址 美国