| 主权项 |
1.一种制作场氧化层(Field oxide)的方法,系包括:(a)使用化学气相沈积方式(chemical vapor deposition; CVD)一步骤沈积一垫氧化层(pad oxide)于基板上,其中所述之垫氧化层在沈积时连续改变其反应气体中之氮氧比例,使所述垫氧化层与所述基板接触面系为氮氧化矽材质(Silicon-Oxy-Nitride),而所述垫氧化层与氮化矽层接触面之材质为氧化矽材质;(b)形成一层所述氮化矽于所述垫氧化层之上;(c)定义所述氮化矽与所述垫氧化层,使欲形成场氧化层处之所述基板表面裸露出来;(d)使用湿式氧化法(wet oxidation)在所述基板上形成所述场氧化层。2.如专利申请范围第1项所述之制作场氧化层的方法,其中所述化学气相沉积法(CVD)系使用低压化学气相沉积法(low pressure chemical vapordeposition; LPCVD)沈积。3.如专利申请范围第2项所述之制作场氧化层的方法,其中所述氮氧化矽材质之反应温度系介于800至900℃之间。4.如专利申请范围第2项所述之制作场氧化层的方法,其中所述氮氧化矽材质之反应气体为矽烷(SiH4)、一氧化二氮(N2O)及氮(N2)。5.如专利申请范围第1项所述之制作场氧化层的方法,其中所述垫氧化层与所述基板接触面中,其中所述垫氧化层材质中之氮氧比例系为含氮比例大于含氧比例。6.如专利申请范围第1项所述之制作场氧化层的方法,其中所述调配其反应气体中之氮氧比例中,含氮比例随顺厚度增加而减少,且含氧比例随顺厚度增加而增加。7.如专利申请范围第1项所述之制作场氧化层的方法,其中所述垫氧化层中含有所述氮氧化矽材质之厚度50至200埃之间。8.如专利申请范围第1项所述之制作场氧化层的方法,其中所述垫氧化层与所述氮化矽层接触面中,其中所述垫氧化层材质中氮氧比例系为含氮比例系为0且含氧比例系为1。9.如专利申请范围第1项所述之制作场氧化层的方法,其中所述氧化矽材质系使用低压化学气相沉积法(LPCVD)方式沈积而成。10.如专利申请范围第9项所述之制作场氧化层的方法,其中所述氧化矽材质之反应气体为矽烷(SiH4)及一氧化二氮(N2O)。11.如专利申请范围第9项所述之制作场氧化层的方法,其中所述氧化矽材质之反应温度系介于900至1000℃之间。图式简单说明:第一图A-第一图C为本发明之实施例的制程剖面示意图。第二图A-第二图B为本发明之实施例中形成氮氧化矽材质之氮/氧化例。第三图A为使用习知技术所制作之场氧化层的电子显微镜图。第三图B-第三图C为使用本发明之场氧化层的电子显微镜图。 |
