| 主权项 |
1.一种半导体装置,其构成特征在于:将多数之相异种类的半导体晶片,封装在基板上并作树脂封闭之后,因应各半导体晶片之良否检查结果而将所定之多数个作为单位,并予切割前述半导体晶片而予形成。2.一种半导体装置之制造方法,其特征在于包含有:第1工程,系将多数之相异种类的半导体晶片封装在基板上;第2工程,系以树脂封闭前述所封装之多数的半导体晶片;第3工程,系对前述多数之各个半导体晶体进行良否检查;及第4工程,系以前述良否检查结果为依据,并将所定之多数个作为单位而切割前述半导体晶片。3.如申请专利范围第2项所记载之半导体装置的制造方法,其中:在前述第1工程所封装之前述多数的半导体晶片,系形成在前述基板之一面上;及将于前述第3工程上之前述良否检查,在介着对应于前述多数之半导体晶片,而形成在前述基板之另一面上之端子,进行该检查。图式简单说明:第一图系表示本实施态样之半导体装置的制造工程。第二图系表示封装半导体晶片前之基板的部份构造。第三图系表示于第二图所示之基板上,封装半导体晶片之状态。第四图系表示封装在基板之半导体晶片之切割方法的一例。第五图系表示进行浮片晶片封装之场合,其半导体晶片与基板之连接状态。第六图系表示具有CIB构造之半导体晶片与基板之截面。第七图系说明依转移模型作树脂成型之概要。第八图系表示使用LCC方式之外部连接端子之场合的半导体装置之部份构造。第九图系说明使用LCC方式之外部连接端子的场合之外部连接端子的形成过程。 |
