| 主权项 |
1.一种由矽所组成之半导体本体(1),其可经由一序列的金属层而焊接至金属固定件(2)上,在焊接前,此金属层含有,自固定件方向中之矽开始,一个铝层(3)和一个扩散障壁层(4),其特征为:焊接材料层(5)系施加至扩散障壁层上。2.如申请专利范围第1项之半导体本体,其中设有一个锡或铅或镓层以作为焊接材料层(5)。3.如申请专利范围第1或第2项之半导体本体,其中扩散障壁层之厚度大约是50nm。4.如申请专利范围第1或第2项之半导体本体,其中该焊接材料层的厚度小于3000nm。5.如申请专利范围第3项之半导体本体,其中该焊接材料层的厚度小于3000nm。6.一种焊接半导体本体(1)至金属固定件(2)之方法,其系用于申请专利范围第1至4项之半导体本体,其特征为:该半导体本体(1)系施加至固定件(2)上,以及藉由加热至高于大约250℃之温度直接焊接至固定件(2)上。图式简单说明:第一图显示在焊接前金属的层顺序。 |
