| 主权项 |
1.一种监测机台之污染微粒的方法,可准确地反映蚀刻机台之反应腔内壁的污染状况并侦测出污染微粒,其特征为利用气体流量呈周期性起伏的流程,在蚀刻反应腔内形成一扰流,促使沉积于反应腔内壁的污染微粒脱落而被侦测出,其步骤包括有:a.将机台之节流阀全开但不通入任何气体,并持续第一周期;b.将所述节流阀维持全开且通入能蚀刻所述污染微粒之气体,并持续第二周期;以及c.将步骤a及b重复复数次。2.如申请专利范围第1项所述之监测机台之污染微粒的方法,其中所述第一周期系介于10秒至40秒之间。3.如申请专利范围第1项所述之监测机台之污染微粒的方法,其中所述第一周期系的最佳选择为20秒。4.如申请专利范围第1项所述之监测机台之污染微粒的方法,其中所述第二周期系介于10秒至40秒之间。5.如申请专利范围第1项所述之监测机台之污染微粒的方法,其中所述第二周期系的最佳选择为20秒。6.如申请专利范围第1项所述之监测机台之污染微粒的方法,其中步骤c系将步骤a和步骤b连续重复3至7次。7.如申请专利范围第1项所述之监测机台之污染微粒的方法,其亦可使用在监测金属蚀刻机台之污染微粒的方法,可准确地反映金属蚀刻机台之反应腔内壁的污染状况并侦测出高分子污染微粒,其步骤包括有:a.将机台之节流阀全开但不通入任何气体,并持续第一周期;b.将所述节流阀维持全开且通入Cl2.BCl3.和Ar等气体,并持续第二周期;以及c.将步骤a及b重复复数次。8.如申请专利范围第7项所述之监测机台之污染微粒的方法,其中步骤c系将步骤a和步骤b连续重复3至7次。9.如申请专利范围第7项所述之监测机台之污染微粒的方法,其中所述Cl2的流量系介于80sccm至120sccm之间。10.如申请专利范围第7项所述之监测机台之污染微粒的方法,其中所述BCl3的流量系介于70sccm至100sccm之间。11.如申请专利范围第7项所述之监测机台之污染微粒的方法,其中所述Ar的流量系介于30sccm至50sccm之间。图式简单说明:第一图为习知技艺中,因蚀刻机台之污染微粒造成蚀刻不完全致使金属线桥接的示意图。第二图为习知技艺中,微粒监测流程(Particle MonitorRecipe)中所通入之气体压力随时间变化的曲线图。第三图为实验A的流程图。第四图为本发明所揭露之监测机台污染微粒的方法之流程图。第五图为本发明微粒监测流程中所通入之气体压力随时间变化的曲线图。 |
