| 主权项 |
1.一种具有下列化学式(I)之共聚合物, (I) 其中R1及R2独自为氢或甲基; R3为-CH2-或 ; m/n=0.05-1.5;及 该共聚合物具有一数平均分子量介于5,000至100,000 之间。2.如申请专利范围第1项之共聚合物,其中的 R3为-CH2,及R1及R2分别为氢及甲基。3.如申请专利范 围第1项之共聚合物,其中的R3为 ;R1为甲基及R2为氢 或甲基。4.如申请专利范围第1项之共聚合物,其中 的m/n=0.09-0.9。5.如申请专利范围第1项之共聚合物, 其具有一数平均分子量介于5,000至 50,000之间。6.一种具有下列化学式(II)之正型光阻 剂, (II) 其中R1及R2独自为氢或甲基; R3为-CH2-或 ; m/n=0.05-1.5; ph为伸苯基(phenylene);及 该正型光阻剂具有一数平均分子量介于5,000至100, 000之间。7.如申请专利范围第6项之正型光阻剂,其 中的R3为-CH2,及R1及R2分别为氢及甲基。8.如申请专 利范围第6项之正型光阻剂,其中的R3为 ;R1为甲基 及R2为氢或甲基。9.如申请专利范围第6项之正型 光阻剂,其中的m/n=0.09-0.9。10.如申请专利范围第6 项之正型光阻剂,其具有一数平均分子量介于5,000 至50,000之间。11.如申请专利范围第6项之正型光阻 剂,其中的ph为1,3-伸苯基。12.如申请专利范围第6 项之正型光阻剂,其中的ph为1,4-伸苯基。图式简单 说明: 第一图显示了本发明所合成之共聚合物及光阻剂 聚合物之微差扫描卡计(DSC)曲线(氮气中,加热速率 10℃/分)。 第二图显示了前述实施例4所合成之光阻剂聚合物 与一市售之光阻剂合物形成于一矽晶圆上之涂膜 的O2-电浆蚀刻速率,其中各曲线上之光阻剂聚合物 代码中HPR-204为Hunt Co.制售之商品。 第三图显示了前述实施例4所合成之部份光阻剂聚 合物接受不同曝光剂量及显影后的正规化光阻层 厚度(normalized resist thickness)。 第四图及第五图分别为表5中之PTSiONM光阻剂聚合 物,使用石英制成之解析度光罩(resolution mask,Toppan Printing Co., Ltd.)进行光微影程序所制得之光阻层图 样的放大100倍及660倍的显微照片。 第六图及第七图分别为表5中之PTSiONA光阻剂聚合 物,使用石英制成之解析度光罩(resolution mask,Toppan Printing Co., Ltd.)进行光微影程序所制得之光阻层图 样的放大100倍及300倍的显微照片。 第八图及第九图分别为表5中之PASiONM光阻剂聚合 物,使用石英制成之解析度光罩(resolution mask,Toppan Printing Co., Ltd.)进行光微影程序所制得之光阻层图 样的放大100倍及660倍的显微照片。 |
