| 主权项 |
1.一种用于磁资讯记录媒体之玻璃陶瓷基板,该基 板于加热至500℃保持5分钟然后冷却后之状态下平 坦度为5微米或以下, 其在自-50℃至+600℃温度范围内之热膨胀系数在自 -1010-7/℃至+8010-7/℃, 生长结晶相之结晶粒直径在自0.001微米至0.10微米 范围内,且 包含一或多种结晶相作为主要结晶相或多结晶相, 该结晶相选自包括-石英(-SiO2)、-石英固溶 液(-SiO2固溶液)、-锂辉石(-Li2OAl2O3SiO2) 、-锂辉石固溶液(-Li2OAl2O3,SiO2固溶液)、- 锂霞石(-Li2O,Al2O3,2SiO2,一部分Li2O可由MgO及/或ZnO 取代),及-锂霞石固溶液(-Li2O,Al2O3,2SiO2固溶液, 一部分Li2O可由MgO及/或ZnO取代)。2.如申请专利范 围第1项之玻璃陶瓷基板,其不含PbO、Na2O与K2O。3. 如申请专利范围第1或2项之玻璃陶瓷基板,其系热 处理一种具有由下列重量百分比组成之基底玻璃 制得: SiO2 50-62% P2O5 5-10% Al2O3 22-26% Li2O+MgO+ZnO 4-6.5% 其中Li2O 3-5% MgO 0.5-2% ZnO 0.2-2% CaO+BaO 0.8-5% 其中CaO 0.3-4% BaO 0.5-4% TiO2 1-4% ZrO2 1-4% As2O3+Sb2O3 0-4%。4.如申请专利范围第1或2项之玻璃 陶瓷基板,其系熔融玻璃材料、形成熔融玻璃、退 火所形成玻璃并于自650℃至750℃范围内之成核温 度与自750℃至950℃范围内之结晶温度热处理所形 成玻璃制得。5.一种用于磁资讯记录媒体之玻璃 陶瓷基板,该基板于加热至500℃保持5分钟然后冷 却后之状态下平坦度为5微米或以下, 其在自-50℃至+600℃温度范围内之热膨胀系数在自 -1010-7℃至+8010-7/℃, 生长结晶相之结晶粒直径在自0.001微米至0.10微米 范围内,且 包含锌尖晶石(ZnAl2O4)及/或锌尖晶石固溶液(ZnAl2O4 固溶液)作为主要结晶相。6.如申请专利范围第5项 之玻璃陶瓷基板,其不含PbO、Na2O与K2O。7.如申请专 利范围第5或6项之玻璃陶瓷基板,其系热处理一种 具有由下列重量百分比组成之基底玻璃制得: SiO2 30-65% Al2O3 5-35% ZnO 5-35% MgO 1-20% TiO2 1-15% CaO+SrO+BaO+B2O3+ La2O3+Y2O3+Gd2O3+ Ta2O5+Nb2O5+WO3+Bi2O3 0.5-20% 其中B2O3 0-10% Ta2O5+Nb2O5+WO3+Bi2O3 0-10% ZrO2+P2O5+SnO2 0-7% 其中ZrO2 0-少于2% P2O5 0-5% SnO2 0-2% As2O3+Sb2O3 0-4%。8.如申请专利范围第5或6项之玻璃 陶瓷基板,其系熔融玻璃材料、形成熔融玻璃、退 火所形成玻璃并于自650℃至750℃范围内之成核温 度与自750℃至950℃范围内之结晶温度热处理所形 成玻璃制得。9.如申请专利范围第1.2.5或6项之玻 璃陶瓷基板,其研磨后表面粗糙度Ra(算数平均粗糙 度)在1埃至5埃范围内,研磨后Rmax(最大粗糙度)为100 埃或以下。 |
