| 主权项 |
1.一种用以制造数个半导体元件之方法,该等半导 体元件包含有一个图案化光阻,该方法包含下列之 步骤: 将一个第一曝光光罩相对于一个位在一个半导体 晶圆上之光阻薄膜来定位,且该第一曝光光罩具有 数个位在一基材上之被重覆地形成的电路图案; 以一遮蔽光罩将该等电路图案之一个或数个遮住, 其中该等一个或数个电路图案系面朝该半导体晶 圆之一边缘,且不侵犯至其他的电路图案; 经由该曝光光罩之未被以该遮蔽光罩所遮蔽之该 等电路图案而将该光阻薄膜曝光; 发射一光且使之通过一个位在一个第二曝光光罩 上之光通过图案而达于该光阻有被该遮蔽光罩之 一边缘予以投影之处;以及 显影该光阻薄膜。2.如申请专利范围第1项之方法, 其中该第一曝光光罩与该第二曝光光罩系一起被 形成在一基材上。3.如申请专利范围第2项之方法, 其中该第一曝光光罩之该等电路图案被排置在一 个方向上。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该 第二曝光光罩系在该基材上而于该一个方向上毗 邻该第一曝光光罩。5.如申请专利范围第3项之方 法,其中该第二曝光光罩之该等光通过图案中之至 少一者被定位在一线之一延伸处上,于该线之延伸 处中该第一曝光光罩之该等电路图案被排置在该 基材上。6.如申请专利范围第2项之方法,其中该第 一曝光光罩之该等电路图案被定位在毗邻于位在 一个第一区域中之第一与第二方向,及该第二曝光 光罩之该等光通过图案系沿该第一区域之侧边而 被形成于该第一或第二方向中。7.如申请专利范 围第6项之方法,其中该光通过图案系择自于沿该 第一区域周围而被形成之数个光通过图案之中者 。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该第一区域 为一个多边形,且该多边形具有一个延伸至该第一 方向之第二侧边,及该第一光通过图案沿该第一侧 边而被形成。9.如申请专利范围第8项之方法,其中 该光通过图案被形成于该第一侧边之中央。10.如 申请专利范围第6项之方法,其中该第一区域为一 个多边形,且该多边形具有分别沿该第一与第二方 向之第一与第二侧边,及该等数个光通过图案被形 成于该第一或第二侧边之中央。11.如申请专利范 围第1项之方法,其中该光通过图案具有一个平行 于一个第一方向之长度,及该长度系较每一该等电 路图案之一个平行于该第一方向之侧边为长。12. 如申请专利范围第1项之方法,其中该光通过图案 具有一个长度相等于每一该等电路图案之一个侧 边的长度之总和。13.如申请专利范围第1项之方法 ,其中每一该等电路图案系为一个动态随机存取记 忆体晶胞之一个部份。图式简单说明: 第一图A绘示藉由传统之曝光方法之曝光之结果及 第一图B绘示在一为多数所使用之一光罩之平面示 意图; 第二图为用于本发明之一实施例中之一作为曝光 用之装置之一结构图; 第三图为第二图中所示之该作为曝光用之装置中 之一遮蔽件之一个实例之一平面图; 第四图为用于本发明之一实施例中之一光罩之第 一实例之平面图; 第五图A绘示在一藉由第四图所示之该光罩所曝光 之半导体晶圆上之区域之一平面图及第五图B为该 半导体晶圆之一横截面图; 第六图A绘示第四图所示之该光罩与第三图所示之 该遮蔽件之间之位置关系之第一实例之一平面图 及第六图B绘示一由使用一经第六图A中所示之该 遮蔽件所遮光之光罩所获得之图案潜像结果之平 面图; 第七图A绘示一第四图中所示之该光罩与该遮蔽件 之间之位置关系之第二实例及第七图B绘示一由使 用一经第七图A中所示之该遮蔽件所遮光之光罩所 获得之图案潜像结果之平面图; 第八图A绘示一第四图中所示之该光罩与该遮蔽件 之间之位置关系之第三实例及第八图B绘示一由使 用一经第八图A中所示之该遮蔽件所遮光之光罩所 获得之图案潜像结果之平面图; 第九图A绘示一第四图中所示之该光罩与该遮蔽件 之间之位置关系之第四实例及第九图B绘示一由使 用一经第九图A中所示之该遮蔽件所遮光之光罩所 获得之图案潜像结果之平面图; 第十图A与第十图B分别绘示被用于本发明实施例 中之该光罩之第二实例与第三实例之平面图; 第十一图绘示被用于本发明实施例中之该光罩之 第四实例之平面图; 第十二图绘示被用于本发明实施例中之该光罩之 第五实例之平面图; 第十三图绘示被用于本发明实施例中之该光罩之 第六实例之平面图; 第十四图绘示被用于本发明实施例中之该光罩之 第七实例之平面图; |
