| 主权项 |
1.一种复合构件之分开方法,包含:在一分开区域分 开该复合构件为复数构件,该分开区域之机械强度 系非均匀的,且该分开区域之周边部分之机械强度 系局部性地低。2.如申请专利范围第1项之分开方 法,其中该分开区域之机械强度比该复合构件之接 合界面之机械强度低。3.如申请专利范围第1项之 分开方法,其中该分开区域系由阳极电镀所形成之 多孔层。4.如申请专利范围第1项之分开方法,其中 该复合构件实质地具有碟片形状,以及该分开区域 之机械强度在该复合构件之中心部分高,在周边部 分低而沿着周围的方向则实质地均匀。5.如申请 专利范围第1项之分开方法,其中该分开区域之机 械强度系藉形成层之储部分彼此在孔隙率之中相 异而制成非均匀。6.如申请专利范围第1项之分开 方法,其中该分开区域之孔隙率系设定为,在周边 部分比在中心部分高。7.如申请专利范围第1项之 分开方法,其中该机械强度系藉在该分开区域中形 成厚度彼此相异之储部分而制成非均匀。8.如申 请专利范围第5项之分开方法,其中该多孔层系形 成为,在周边部分比在中心部分厚。9.如申请专利 范围第1项之分开方法,其中该分开区域包含在机 械强度中相异之复数层。10.如申请专利范围第1项 之分开方法,其中该分开区域包含一孔隙率高之层 及一孔隙率低之层。11.如申请专利范围第10项之 分开方法,其中孔隙率高之该层之孔隙率为,在周 边部分比在中心部分高。12.如申请专利范围第10 项之分开方法,其中孔隙率低之该层之厚度系设定 为,在周边部分比在中心部分大;及孔隙率高之该 层之孔隙率系设定为,在周边部分比在中心部分高 。13.如申请专利范围第12项之分开方法,其中孔隙 率低之该层之厚度系藉改变平面内之阳极电镀之 电流密度而设定为,在底部基底之周边部分比在中 心部分高。14.如申请专利范围第13项之分开方法, 其中流过接受阳极电镀之第1底部基底附近处之阳 极电镀液体之离子电流的剖面面积系设定大于该 第1底部之面积,使得流入周边部分之阳极电镀电 流之表面密度制成比流入中心部分之阳极电镀电 流之表面密度高:孔隙率低之该层之厚度系制成, 在周边部分比在中心部分大;及稍后形成之孔隙率 高之该层之孔隙率系制成,在周边部分比在中心部 分高。15.如申请专利范围第13项之分开方法,其中 用以控制流入于一第1底部基底之表面中之离子电 流分布之电流导引器系配置于接受该阳极电镀之 该第1底部基底之附近处,使得孔隙率低之该层之 厚度变化于平面内。16.如申请专利范围第1项之分 开方法,其中该分开区域系一藉离子布植准所形成 之层,其中可获得诸微空穴。17.如申请专利范围第 1项之分开方法,其中该周边部分之离子布植数量 系设定为比该中心部分之离子布植数量大。18.如 申请专利范围第1项之分开方法,其中流体系喷出 以产生裂开于该分开区域中。19.如申请专利范围 第18项之分开方法,其中自喷嘴喷出高压水流之流 之水喷射法系使用为喷出该流体之方法。20.如申 请专利范围第18项之分开方法,其中该复合构件之 侧面包含一凹处,用以接纳该流体及产生一力于其 中推挤/扩大该分开区域之方向中。21.如申请专利 范围第1项之分开方法,其中该第1底部基底系藉制 成单晶矽基底部分地多孔而形成多孔单晶矽层及 藉磊晶地发展非多孔单晶矽层于该非多孔单晶矽 层之上而予以形成。22.如申请专利范围第21项之 分开方法,其中该第1底部基底与一第2底部基底系 透过一绝缘层予以接合,且该绝缘层系藉氧化该第 1底部之非多孔单晶矽层之表面予以形成。23.如申 请专利范围第1项之分开方法,其中包含离子布植 于一含有单晶半导体之第1底部基底之预定深度中 以获得其中可取得微空穴层之离子布植层当作该 分开区域;接合该第1底部基底与一第2底部基底以 取得其中该第1底部基底之离子布植面系向内定位 之复合构件;以及喷出一流体至该复合构件之侧面 以分开该复合构件。24.如申请专利范围第1项之分 开方法,其中该复合构件之侧面包含一凹处,用以 接纳一流体及产生一力于其中推挤/扩大一离子布 植层之方向中。25.如申请专利范围第23项之分开 方法,其中该离子布植层具有比该接合界面低的机 械强度。26.如申请专利范围第1项之分开方法,其 中该周边部分之孔隙率与该孔隙率之最小値间的 差异为5%或更多。27.如申请专利范围第1项之分开 方法,其中该周边部分之孔隙率与该孔隙率之最小 値间的差异为10%或更多。28.如申请专利范围第1项 之分开方法,其中该周边部分之孔隙率系选取自20% 或更多与80%或更少之间的范围。29.如申请专利范 围第1项之分开方法,其中该周边部分之孔隙率系 选取自35%或更多与80%或更少之间的范围。30.如申 请专利范围第1项之分开方法,其中该中心部分之 孔隙率系选取自5%或更多与少于35%间之范围。31. 如申请专利范围第1项之分开方法,其中该中心部 分之孔隙率系选取自5%或更多与少于20%间之范围 。32.如申请专利范围第1项之分开方法,其中该分 开区域含有一部分,该部分具有比该周边部分大的 高机械强度。33.如申请专利范围第1项之分开方法 ,其中该分开区域含有一部分,该部分具有高机械 强度于一偏离自该复合构件之中心的位置中。34. 一种半导体基底之准备方法,该准备方法利用如申 请专利范围第1项之分开方法。35.一种半导体基底 之准备方法,包含:在一相异于接合面之位置中所 形成之分开区域处分开一藉接合一第1底部基底与 一第2底部基底于彼此所形成之复合构件为复数构 件,该分开区域之机械强度沿着该接合面系非均匀 的,且该分开区域之周边部分之机械强度系局部性 地低。36.如申请专利范围第35项之半导体基底之 准备方法,其中该分开区域之机械强度系低于该接 合面之机械强度。37.如申请专利范围第35项之半 导体基底之准备方法,其中该分开区域系由阳极电 镀所形成之多孔层。38.如申请专利范围第35项之 半导体基底之准备方法,其中该复合构件实质地具 有碟片形状,以及该分开区域之机械强度在该复合 构件之中心部分高,在周边部分低则沿着周围的方 向则实质地均匀。39.如申请专利范围第35项之半 导体基底之准备方法,其中该分开区域之机械强度 系藉形成层之储部分彼此在孔隙率之中相异而制 成非均匀。40.如申请专利范围第35项之半导体基 底之准备方法,其中该分开区域之孔隙率系设定为 ,在周边部分比在中心部分高。41.如申请专利范围 第35项之半导体基底之准备方法,其中该机械强度 系藉在该分开区域中形成厚度彼此相异之诸部分 而制成非均匀。42.如申请专利范围第39项之半导 体基底之准备方法,其中该多孔层系形成为,在周 边部分比在中心部分厚。43.如申请专利范围第35 项之半导体基底之准备方法,其中该分开区域包含 在机械强度中相异之复数层。44.如申请专利范围 第35项之半导体基底之准备方法,其中该分开区域 包含一孔隙率高之层及一孔隙率低之层。45.如申 请专利范围第44项之半导体基底之准备方法,其中 孔隙率高之该层之孔隙率为,在周边部分比在中心 部分高。46.如申请专利范围第44项之半导体基底 之准备方法,其中孔隙率低之该层之厚度系设定为 ,在周边部分比在中心部分大;及孔隙率高之该层 之孔隙率系设定为,在周边部分比在中心部分高。 47.如申请专利范围第46项之半导体基底之准备方 法,其中孔隙率低之该层之厚度系藉改变平面内之 阳极电镀之电流密度而设定为,在底部基底之周边 部分比在中心部分高。48.如申请专利范围第47项 之半导体基底之准备方法,其中流过接受阳极电镀 之第1底部基底阳极电镀液体之离子电流的剖面面 积系设定大于该第1底部之面积,使得流入周边部 分之阳极电镀电流之表面密度制成比流入中心部 分之阳极电镀电流之表面密度高:孔隙率低之该层 之厚度系制成,在周边部分比在中心部分大;及稍 后形成之孔隙率高之该层之孔隙率系制成,在周边 部分比在中心部分高。49.如申请专利范围第47项 之半导体基底之准备方法,其中用以控制流入于一 第1底部基底之表面中之离子电流分布之电流导孔 器系配置于接受该阳极电镀之该第1底部基底之附 近处,使得孔隙率低之该层之厚度变化于平面内。 50.如申请专利范围第35项之半导体基底之准备方 法,其中该分开区域系一藉离子布植流所形成之层 ,基中可获得诸微空穴。51.如申请专利范围第35项 之半导体基底之准备方法,其中该周边部分之离子 布植数量系设定为比该中心部分之离子布植数量 大。52.如申请专利范围第35项之半导体基底之准 备方法,其中流体系喷出至该分开区域之附近处以 产生裂开于该分开区域中。53.如申请专利范围第 52项之半导体基底之准备方法,其中自喷嘴喷出高 压水流之水喷射法系使用为喷出该流体之方法。 54.如申请专利范围第52项之半导体基底之准备方 法,其中该复合构件之侧面包含一凹处,用以接纳 该流体及产生一力于基中推挤/扩大该分开区域之 方向中。55.如申请专利范围第35项之半导体基底 之准备方法,其中该第1底部基底系藉制成单晶矽 基底部分地多孔而形成多孔单晶矽层及藉磊晶地 发展非孔单晶矽层于该非多孔单晶矽层之上面予 以形成。56.如申请专利范围第55项之半导体基底 之准备方法,其中该第1底部基底与该第2底部基底 系透过一绝缘层予以接合,且该绝缘层系藉氧化该 第1底部之非多孔单晶孔层之表面予以形成。57.如 申请专利范围第35项之半导体基底之准备方法,其 中包含离子布植于一含有单晶半导体之第1底部基 底之预定深度中以获得其中可取得微空穴层之离 子布植层当作该分开区域;接合该第1底部基底与 一第2底部基底以取得其中该第1底部基底之离子 布植面系向内定位之复合构件;以及喷出一流体至 该复合构件之侧面以分开该复合构件。58.如申请 专利范围第35项之半导体基底之准备方法,其中该 复合构件之侧面包含一凹处,用以接纳一流体及产 生一力于其中推挤/扩大一离子布植层之方向中。 59.如申请专利范围第57项之半导体基底之准备方 法,其中该离子布植层具有比该接合界面低的机械 强度。60.如申请专利范围第35项之半导体基底之 准备方法,其中该周边部分之孔隙率与该孔隙率之 最小値间的差异为5%或更多。61.如申请专利范围 第35项之半导体基底之准备方法,其中该周边部分 之孔隙率与该孔隙率之最小値间的差异为10%或更 多。62.如申请专利范围第35项之半导体基底之准 备方法,其中该周边部分之孔隙率系选取自20%或更 多与80%或更少之间的范围。63.如申请专利范围第 35项之半导体基底之准备方法,其中该周边部分之 孔隙率系选取自35%或更多与80%或更少之间的范围 。64.如申请专利范围第35项之半导体基底之准备 方法,其中该中心部分之孔隙率系选取自5%或更多 与少于35%间之范围。65.如申请专利范围第35项之 半导体基底之准备方法,其中该中心部分之孔隙率 系选取自5%或更多与少于20%间之范围。66.如申请 专利范围第35项之半导体基底之准备方法,其中该 分开区域含有一部分,该部分具有比该周边部分大 的高机械强度。67.如申请专利范围第35项之半导 体基底之准备方法,其中该分开区域含有一部分, 该部分具有高机械强度于一偏离自该复合构件之 中心的位置中。68.一种复合构件,包含:一分开区 域于内部,该分开区域之机械强度沿着该复合构件 之表面系非均匀,该分开区域之周边部分之机械强 度系局部性地低。图式简单说明: 第一图A,第一图B及第一图C系根据本发明之复合构 件之示意剖面视图; 第二图A及第二图B系根据本发明之复合构件之顶 视图; 第三图A及第三图B显示根据本发明之复合构件之 机械强度之平面内分布; 第四图系显示其中施加使用于本发明中之阳极电 镀之状态的视图; 第五图系根据本发明之半导体基底之孔隙率之特 性图; 第六图A,第六图B及第六图C系显示根据本发明之复 合构件之分开方法的视图; 第七图系一水喷射装置之示意视图; 第八图系本发明之复合构件之部面视图; 第九图系显示多孔厚度与阳极电镀电流之特性图; 第十图系相对于第1层之厚度的第2层之孔隙率之 特性图; 第十一图系根据本发明之实施例之复合构件的剖 面视图;以及 第十二图A,第十二图B及第十二图C系显示一习知之 半导体基底的准备方法的视图。 |
