| 主权项 |
1.一种印刷电路板之预浸物,其系如下制得:以具有 对羟基呈反应性之官能端基之矽氧烷低聚物处理 玻璃基质材料,即,令该基质材料与该矽氧烷低聚 物接触,然后于50至200℃乾燥5至60分钟,然后以树脂 清漆浸渍该经处理之基质材料,并乾燥该浸渍之基 质材料, 其中该树脂清漆包括一种树脂及为彼之熟化剂,该 树脂系由环氧树脂,聚醯亚胺树脂,三树脂,酚醛 树脂,三聚氰胺树脂,聚酯树脂及这些树脂之改良 树脂组成之集合中选出, 其中该矽氧烷低聚物之聚合度为70或更小、为三 度空间交联且包括由三官能矽氧烷单位(RSiO3/2)和 四官能矽氧烷单位(SiO4/2)选出之矽氧烷单位,其中R 系一有机基,且在矽氧烷低聚物中之有机基R彼此 相同或不同,其中矽氧烷低聚物系在水存在下,藉 使用酸触媒使至少一种相对应于矽氧烷单位的氯 基甲矽烷或烷氧基甲矽烷起缩合反应而予以合成 者。2.如申请专利范围第1项之预浸物,其中该矽氧 烷低聚物包括二官能矽氧烷单位(R2SiO2/2),和四官 能矽氧烷单位(SiO4/2),且聚合度为6至70。3.如申请 专利范围第1项之预浸物,其中该矽氧烷低聚物包 括三官能矽氧烷单位(RSiO3/2)和四官能矽氧烷单位( SiO4/2 ),且其聚合度为6至70。4.如申请专利范围第1项之 预浸物,其中该矽氧烷低聚物包括二官能矽氧烷单 位(R2SiO2/2)和三官能矽氧烷单位(SiO3/2 ),且聚合度为6至70。5.如申请专利范围第1项之预 浸物,其中该矽氧烷低聚物包括二官能矽氧烷单位 (R2SiO2/2)三官能矽氧烷单位(RSiO3/2)和四官能矽氧烷 单位(SiO4/2),且其聚合度为6至70。6.如申请专利范 围第2或3或5项之预浸物,其中四官能矽氧烷单位( SiO4/2)至少占矽氧烷低聚物之矽氧烷单位总量之至 少15莫耳%。7.如申请专利范围第1项之预浸物,其中 该矽氧烷低聚物包括四官能矽氧烷单位(SiO4/2),且 聚合度为6至70。8.如申请专利范围第1项之预浸物, 其中该矽氧烷低聚物包括三官能矽氧烷单位(RSiO3/ 2),且聚合度为6至70。9.如申请专利范围第1项之预 浸物,其中该矽氧烷低聚物与矽烷偶合剂一齐使用 以处理该基质材料。10.如申请专利范围第1项之预 浸物,以矽氧烷低聚物处理之后,再以矽烷偶合剂 处理该基质材料。11.一种印刷电路板用之积层板, 其系将二或多层如申请专利范围第1项之预浸物黏 合,将金属箔置于该层置预浸物至少一侧加热加压 制成。图式简单说明: 第一图为基质材料或以习知矽烷偶合剂处理之填 料的表面之理想状态示意图。 第二图为以业界表面处理来处理基质材料或填料 之表面真实状态示意图。 第三图为以JP-A-1-204953之线型聚矽氧烷处理填料之 表面状态示意图。 第四图显示使用本案预浸物制成之基质材料与树 脂层间的界面状态。 |
