| 主权项 |
1.一种藉由电浆处理以在半导体基底上形成一矽 酮聚合物之方法,其步骤包括: 直接蒸发一含矽的碳氢化合物,以产生一种生产矽 酮聚合物之材料气体,该含矽的碳氢化合物具有两 个或小于两个的烷氧基,或不具烷氧基; 将该材料气体导入一电浆化学气相沈积制程之反 应室内,其内并置有一半导体基底; 将一种控制电浆反应的添加气体导入反应室内,该 添加气体是用以提供形成矽酮薄膜内预定的氧:矽 比例; 在反应室内活化电浆聚合反应,其中并存在有含该 材料气体和添加气体之反应气体,用以在该半导体 基底上形成一具有低相对介电常数之矽酮聚合物 薄膜;以及 控制该反应气体之流速以延长该反应气体在该反 应室内之残留时间,直到该矽酮聚合物膜之相对介 电常数低于预定値。2.如申请专利范围第1项所述 之方法,其中该残留时间是决定于相对介电常数和 残留时间之间的关系。3.如申请专利范围第1项所 述之方法,其中存在于该含矽酮之碳氢化合物内的 烷氧基具有1至3个碳。4.如申请专利范围第1项所 述之方法,其中存在于该含矽酮之碳氢化合物内的 碳氢化合物具有1至6个碳。5.如申请专利范围第1 项所述之方法,其中该含矽酮之碳氢化合物内具有 1至3个矽原子。6.如申请专利范围第1项所述之方 法,其中该含矽之碳氢化合物具有SiO-1R2-b+2( OCnH2n+1)之通式,其中是1-3间的整数,是0.1或2, n是1-3间的整数,而R则是接在矽上的C1-6碳氢化合物 。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该添加 气体包括有至少氩气或氦气。8.如申请专利范围 第1项所述之方法,其中该添加气体包括有一种氧 化剂或还原剂,用以决定该材料气体内之矽:氧比 例,以形成一具有预定特性之矽酮聚合物膜。9.如 申请专利范围第7项所述之方法,其中该添加气体 包括有一种氧化剂或还原剂,用以决定该材料气体 内之矽:氧比例,以形成一具有预定特性之矽酮聚 合物膜。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其 中该含矽之碳氢化合物是选自下列族群: 其中,R1.R2.R3.R4.R5和R6是独立地CH3.C2H3.C2H5.C3H7或C6H5, 且m和n是1-6间的整数。11.如申请专利范围第1项所 述之方法,其中该反应气体之流速是控制在可提供 相对介电常数低于3.30之矽酮聚合物膜。12.如申请 专利范围第1项所述之方法,其中该反应气体之残 余时间的预测値是决定于薄膜之相对介电常数和 残留时间之间的关系。图式简单说明: 第一图显示的是一种用以形成本发明之绝缘膜的 电浆化学沉积装置。 第二图显示的是相对介电常数和反应气体之总流 量间之关系,以及残留时间和反应气体之总流量间 之关系,其中此二实验均以PM-DMSO作为材料气体。 第三图显示的是使用PM-DMSO作为材料气体之实验的 残留时间和相对介电常数间的关系。 第四图是根据本发明之热去吸附光谱,其中显示分 子量16之甲烷自薄膜(PM-DMOS,DM-DMOS)中热去吸附出来 。 第五图显示的是在改变真空度情况下,自薄膜(PM- DMOS,DM-DMOS)中热去吸附出来的总分子数量。亦即, 压力上升导致气体自薄膜中热去吸附出来的热去 吸附测试。 |
