发明名称 侦测电路
摘要 本发明揭示一种使用了转阻放大器电路之光二极体侦测电路。透过一串接于光二极体之过载侦测二极体,该光二极体上之过载电流会从放大器被分流至电压供应源,譬如,接地端。本发明亦揭示一种差动的结构。
申请公布号 TW437157 申请公布日期 2001.05.28
申请号 TW088102737 申请日期 1999.02.24
申请人 L M 艾瑞克生电话公司 发明人 J.汤普森;雷蒙菲利浦;乔金班格斯
分类号 H03F1/04;H03F3/08 主分类号 H03F1/04
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种侦测电路,包含: 一光二极体,其视入射于其上之光信号的强度而引 出电流; 一串联于该光二极体,并于一连接节点处连接该光 二极体之可变阻抗电路; 一转阻放大器电路,包含一转阻放大器与一回授电 路,以及具有输入与输出,该转阻放大器电路之输 入连接至该连接节点,以及该转阻放大器之输出形 成侦测电路之输出; 该可变阻抗电路与该光二极体之串联,藉由一具交 直流低阻抗之连接而连接于一对电压供应源之间, 以及 该转阻放大器电路之输入阻抗在有过载电流时,高 于该可变阻抗电路之阻抗。2.如申请专利范围第1 项之侦测电路,其中该转阻放大器电路之回授电路 包含一电阻。3.如申请专利范围第l项之侦测电路, 另包含一连接在该转阻放大器电路之输入与该连 接节点间之电容器。4.如申请专利范围第1项之侦 测电路,其中该可变阻抗电路包含一过载保护二极 体。5.如申请专利范围第4项之侦测电路,其中该过 载保护二极体包含一基极与集极连接在一起之双 载子电晶体。6.如申请专利范围第4项之侦测电路, 其中该过载保护二极体直接连接至电压电源之一 。7.一种侦测电路,包含: 一光二极体,其视入射于其上之光信号的强度而引 出电流,该光二极体连接于第一与第二连接节点之 间; 一藉由一具交直流低阻抗之连接而连接于该第一 连接节点与第一电压供应源之间之第一可变阻抗 电路; 一藉由一具交直流低阻抗之连接而连接于该第二 连接节点与第二电压供应源之间之第二可变阻抗 电路; 一差动转阻放大器电路,包含均具有输入与输出之 第一与第二转阻放大器,该第一转阻放大器之输入 透过第一电容器连接至该第一连接节点,该第二转 阻放大器之输入透过第二电容器连接至该第二连 接节点,并且该第一与第二转阻放大器电路之输出 ,形成一差动放大器之输入以提供出侦测电路之输 出; 该转阻放大器电路之输入阻抗在有过载电流时,高 于该可变阻抗电路之阻抗。8.如申请专利范围第7 项之侦测电路,其中每一个转阻放大器电路均具有 一包含电阻之回授电路。9.如申请专利范围第7项 之侦测电路,其中每一个可变阻抗电路均包含一过 载保护二极体。10.如申请专利范围第9项之侦测电 路,其中每一个过载保护二极体均包含一基极与集 极连接在一起之双载子电晶体。11.如申请专利范 围第9项之侦测电路,其中每一个过载保护二极体 各自地直接连至电压供应源。图式简单说明: 第一图是本发明之第一侦测电路之电路图。 第二图是本发明之第二侦测电路之电路图。 第三图是本发明之第三侦测电路之电路图。 第四图是本发明之第四侦测电路之电路图。 第五图是本发明之第五侦测电路之电路图。 第六图是本发明之第六侦测电路之电路图。 第七图是本发明之第七侦测电路之电路图。 第八图是本发明之第八侦测电路之电路图。
地址 瑞典