| 主权项 |
1.一种用于制造一半导体基板的方法,该方法包含下列步骤:在一半导体晶圆上形成一基极基板,该基极基板具有一给定的掺杂剂浓度;以及在该基极基板上形成一磊晶(EPI)层,包含:在基极基板的EPI层上磊晶形成一第一掺杂区,该第一掺杂区的掺杂剂浓度大于基极基板中给定的掺杂剂浓度;以及在第一掺区上的EPI层中磊晶形成一第二掺杂区,该第二掺杂区的掺杂剂浓度小于第一掺杂区。2.如申请专利范围第1项之方法,其中完成之该半导体装置之步骤包含在半导体装置上形成一电感器。3.如申请专利范围第1项之方法,其中形成基极基板之步骤包含应用p型掺杂剂掺杂该基极基板。4.如申请专利范围第1项之方法,其中形成一基极基板之步骤包含掺杂该基极基板至约1014cm-3到约1016cm-3之掺杂剂浓度范围。5.如申请专利范围第1项之方法,其中掺杂该基极基板之步骤包含应用p型掺杂剂掺杂该基极基板到约1015cm-3之掺杂剂浓度。6.如申请专利范围第1项之方法,其中在EPI层中磊晶形成第一掺杂区步骤包含应用p型掺杂剂掺杂该第一掺杂区。7.如申请专利范围第1项之方法,其中在EPI层中磊晶形成第一掺杂区之步骤包含掺杂第一掺杂区到等于或大于1017cm-3之掺杂剂浓度。8.如申请专利范围第7项之方法,其中掺杂第一掺杂区之步骤包含应用一p型掺杂剂掺杂第一掺杂区到1018cm-3之掺杂剂浓度为止。9.如申请专利范围第8项之方法,其中掺杂第一掺杂区之步骤包含使用一120ppm硼源直接馈入一掺杂剂控制剂,且在5升/分的速率,及1150℃的温度下与三氯矽烷混合。10.如申请专利范围第1项之方法,其中在第一掺杂区上磊晶形成一第二掺杂区之步骤包含应用p型掺杂剂掺杂第二掺杂区。11.如申请专利范围第1项之方法,其中在第一掺杂区上磊晶形成一第二掺杂区之步骤包含掺杂该第二掺杂区到约1014cm-3约1016cm-3之掺杂剂浓度范围。12.如申请专利范围第11项之方法,其中掺杂第二掺杂区之步骤包含在5升/分及1150℃的温度下,应用一120ppm的不连续硼流,且维持三氯矽烷流。13.如申请专利范围第11项之方法,其中掺杂第二掺杂区之步骤包含应用p型掺杂剂掺杂第二掺杂区到约1015cm-3之掺杂剂浓度。14.如申请专利范围第1项之方法,其中磊晶形成EPI层之步骤包含磊晶形成EPI层到约3m到5m之间之厚度。15.如申请专利范围第1项之方法,其中在EPI层中磊晶形成第一掺杂区之步骤包含磊晶形成第一掺杂区到约0.5m约2m之厚度。16.如申请专利范围第1项之方法,其中在第一掺杂区上磊晶形成一第二掺杂区之步骤包含形成一第二掺杂区至约3m到5m之厚度。17.如申请专利范围第1项之方法,其中形成基极基板之步骤包含形成一p型基板至约1015cm-3之掺杂剂浓度,在该基极基板上磊晶形成一第一掺杂区包含磊晶形成一p型第一掺杂区到约1018cm-3之掺杂剂浓度,及在第一掺杂区上形成一第二掺杂区包含磊晶形成一p型的第一掺杂区到约1015cm-3之掺杂剂浓度。18.一种半导体晶圆,包含一在半导体晶圆上的基极基板,该基极基板具有一给定的掺杂剂浓度;一在该基极基板上的磊晶(EPI)层;包含一位在该基极基板上磊晶形成的第一掺杂区,该第一掺杂区的掺杂剂浓度大于基极基板之的掺杂剂浓度;以及位在该第一掺杂区上之磊晶形成的第二掺杂区,该第二掺杂区浓度小于该第一掺杂区。19.如申请专利范围第18项之半导体晶圆,其中尚包含一内含一电感器的积体电路。20.如申请专利范围第18项之半导体晶圆,其中该基极基板具有一p型掺杂剂。21.如申请专利范围第18项之半导体晶圆,其中掺杂该基极基板到约1014cm-3到约1016cm-3之浓度。22.如申请专利范围第21项之半导体晶圆,其中应用p型掺杂剂掺杂该基极基板到约1015cm-3之浓度。23.如申请专利范围第18项之半导体晶圆,其中磊晶形成第一掺杂区为应有p型掺杂剂掺杂。24.如申请专利范围第18项之半导体晶圆,其中磊晶形成第一掺杂区系掺杂到等于或大于1017cm-3之浓度。25.如申请专利范围第23项之半导体晶圆,其中该第一掺杂区系应用掺杂剂掺杂到约1018cm-3之浓度。26.如申请专利范围第18项之半导体晶圆,其中该磊晶形成的第二掺杂区系应用p型掺杂剂掺杂。27.如申请专利范围第18项之半导体晶圆,其中磊晶形成第二掺杂区系掺杂到约1018cm-3到约1016cm-3之浓度。28.如申请专利范围第27项之半导体晶圆,其中该第二掺杂区应用p型掺杂剂掺杂到约1015cm-3之浓度。29.如申请专利范围第18项之半导体晶圆,其中磊晶形成的EPI层厚度为约3m到约7m。30.如申请专利范围第18项之半导体晶圆,其中磊晶形成第一掺杂区之厚度为约0.5m2m。31.如申请专利范围第18项之半导体晶圆,其中磊晶形成第二掺杂区之厚度为约3m到约5m。32.如申请专利范围第18项之半导体晶圆,其中该磊晶形成的第一掺杂区提供的Q値等于或大于约10。图式简单说明:第一图示可扩散高Q値电感器之积体电路的结构。第二图依据本发明之原理所结构之扩散高Q値电感器的积体电路的实施例。第三图示依据具有高Q値之原金属电感器的本发明之原理架构之积体电路晶圆的实施例。第四图示用于架构第二图之积体电路晶圆的方法的流程图。 |
