发明名称 CONTACT STRUCTURE FOR AN ELECTRIC II/VI SEMICONDUCTOR COMPONENT AND A METHOD FOR THE PRODUCTION OF THE SAME
摘要 Verfahren zur Herstellung von Kontakten für elektrisch betriebene II/VI-Halbleiterstrukturen (z.B. Laserdioden im blaugrünen Spektralbereich). Diese Kontate sind dadurch gekennzeichnet, dass sich Lithiumnitrid zwischen Halbleiterstruktur und den übrigen Kontaktschichten befindet.
申请公布号 WO0137385(A1) 申请公布日期 2001.05.25
申请号 WO2000EP11488 申请日期 2000.11.17
申请人 TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN;STRASSBURG, MATTHIAS;SCHULZ, OLIVER;POHL, UDO, W.;BIMBERG, DIETER 发明人 STRASSBURG, MATTHIAS;SCHULZ, OLIVER;POHL, UDO, W.;BIMBERG, DIETER
分类号 H01L21/443;H01L33/28;H01L33/40;H01S5/042;H01S5/327;(IPC1-7):H01S5/042;H01L33/00;H01L29/45 主分类号 H01L21/443
代理机构 代理人
主权项
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