| 摘要 |
<P>Le dispositif de mémoire vive dynamique comprend un plan mémoire comportant au moins une première matrice de cellules-mémoire CM, un amplificateur de lecture/écriture AMLE connecté à l'extrémité de chaque colonne de la matrice et au moins une paire de lignes d'entrée/sortie IO, ION associée à la matrice. Il comprend en outre au moins un étage de mémoire-cache MCH connecté à chaque amplificateur et disposé au voisinage immédiat de cet amplificateur, cet étage de mémoire-cache comportant une cellule de mémoire vive statique connectée entre l'amplificateur de lecture/écriture AMLE et la paire de lignes d'entrée/sortie IO, ION.</P>
|
