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发明名称 METHOD OF PRODUCING A SEMICONDUCTOR DEVICE BY DRY ETCHING TWO SUPERPOSED SIO2 LAYERS
摘要
申请公布号 HK1014296(A1) 申请公布日期 2001.05.18
申请号 HK19980115539 申请日期 1998.12.24
申请人 SEIKO EPSON CORPORATION 发明人 NAMOSE, ISAMU
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/3105;H01L21/311;H01L21/3205;H01L21/768;(IPC1-7):H01L 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人
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