| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung eines Halbleitersubstrats |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE69231777(D1) |
申请公布日期 |
2001.05.17 |
| 申请号 |
DE1992631777 |
申请日期 |
1992.01.15 |
| 申请人 |
CANON K.K., TOKIO/TOKYO |
发明人 |
SAKAGUCHI, KIYOFUMI;YONEHARA, TAKAO |
| 分类号 |
H01L21/02;H01L21/20;H01L21/306;H01L21/762;H01L27/12;(IPC1-7):H01L21/76 |
主分类号 |
H01L21/02 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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