| 摘要 |
<p>Es wird eine Ladungspumpe zum Erzeugen von hohen Spannungen für integrierte Halbleiterschaltungen beschrieben, die eine Mehrzahl von Pumpstufen mit jeweils mindestens einem Leistungstransistor (M1x) zur Erzeugung einer Pumpspannung (Vpmp) auf einem Leistungspfad aufweist und die sich inbesondere dadurch auszeichnet, daß der Leistungstransistor (M1x) einen frei verschaltbaren Bulk-Anschluß (B) aufweist, mit dem eine Wannenstruktur des Leistungstransistors über einen von dem Leistungspfad im wesentlichen getrennten Wannen-Ladepfad auf einem vorbestimmten Potential gehalten werden kann.</p> |
