Verfahren zur Bildung eines bipolaren Transistors zur Unterdrückung einer Schwankung in der Basisbreite

摘要

In Überstimmung mit dem obigen ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird, nachdem ein polykristalliner Basis-Siliziumfilm gezüchtet wurde, wegen der extrem geringen Änderung der Dicke des Siliziumdioxidfilms eine Erhitzung mittels Heizlampen durchgeführt. Nachfolgend wird eine gepufferte Flusssäure verwendet, die ein großes selektives Ätzverhältnis des Siliziumoxidfilms zum polykristallinen Siliziumfilm besitzt, um die Seiten des Siliziumoxidfilmes in horizontaler Richtung in einer vorgegebenen Breite zu ätzen, bevor die Basisstörstellen BF·2+· implantiert werden, und dann wird der polykristallinen Emitter-Siliziumfilm gebildet. Deshalb ist die Änderung des Abstandes zwischen dem n·+·-Substrat und dem Kollektor gering. Die Basisbreite "WB" der Basisregion wird nicht geändert, wodurch Änderungen der Hochfrequenzgüte des bipolaren Transistors unterdrückt werden.