Auf Silizium basierende Schichten gebildet aus Jodsilanvorstufe und Verfahren, um selbiges zu erreichen,申请号DE19981082854T-传众专利搜索

发明名称	Auf Silizium basierende Schichten gebildet aus Jodsilanvorstufe und Verfahren, um selbiges zu erreichen
摘要
申请公布号	DE19882854(T1)	申请公布日期	2001.05.17
申请号	DE19981082854T	申请日期	1998.11.20
申请人	GELEST INC., TULLYTOWN;THE RESEARCH FOUNDATION OF STATE UNIVERSITY OF NEW YORK, ALBANY	发明人	ARKLES, BARRY;KALOYEROS, ALAIN
分类号	C23C16/24;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/42;C23C16/48;(IPC1-7):C23C16/34	主分类号	C23C16/24
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