发明名称 |
CHARGE PUMP FOR GENERATING HIGH VOLTAGES FOR SEMICONDUCTOR CIRCUITS |
摘要 |
Es wird eine Ladungspumpe zum Erzeugen von hohen Spannungen für integrierte Halbleiterschaltungen beschrieben, die eine Mehrzahl von Pumpstufen mit jeweils mindestens einem Leistungstransistor (M1x) zur Erzeugung einer Pumpspannung (Vpmp) auf einem Leistungspfad aufweist und die sich inbesondere dadurch auszeichnet, dass der Leistungstransistor (M1x) einen frei verschaltbaren Bulk-Anschluss (B) aufweist, mit dem eine Wannenstruktur des Leistungstransistors über einen von dem Leistungspfad im wesentlichen getrennten Wannen-Ladepfad auf einem vorbestimmten Potential gehalten werden kann.
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申请公布号 |
WO0135518(A1) |
申请公布日期 |
2001.05.17 |
申请号 |
WO2000DE03874 |
申请日期 |
2000.11.03 |
申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG;BLOCH, MARTIN |
发明人 |
BLOCH, MARTIN |
分类号 |
H02M3/07;(IPC1-7):H02M3/07 |
主分类号 |
H02M3/07 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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