发明名称 多晶片封装构造
摘要 一种多晶片封装构造,其主要包含至少两半导体晶片,其各具有一排晶片焊垫设于其正面之一侧边。该两半导体晶片系彼此堆叠安装于一基板,其中上层晶片之背面系设于下层晶片之正面使得该上层晶片的任何部分都不会挡到该下层晶片之晶片焊垫的垂直向上区域,以便不妨碍该下层晶片之打线制程。因此该两半导体晶片可先堆叠安装于基板后,再同时进行打线,藉此根据本发明之堆叠式多晶片封装构造,其打线制程可以于一步骤完成,而增加每小时产量(UPH),并且降低成本。
申请公布号 TW434665 申请公布日期 2001.05.16
申请号 TW088123435 申请日期 1999.12.31
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 林俊宏;陈光辉;王士维;陶恕
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 花瑞铭 高雄巿前镇区中山二路七号十四楼之一
主权项 1.一种多晶片封装构造(multichip module),其系包含:一基板,具有一用以与外界形成电性连接之构造;一第一半导体晶片,具有一第一排晶片焊垫设于其正面之一侧边,该第一半导体晶片之背面设于该基板上;一第二半导体晶片,具有一第二排晶片焊垫设于其正面之一侧边,该第二半导体晶片之背面系设于该第一半导体晶片之正面使得该第二半导体晶片的任何部分都不会挡到该第一排晶片焊垫垂直向上区域,以便不妨碍该第一半导体晶片之打线制程;及该第一排晶片焊垫及第二排晶片焊垫系电性连接至该基板用以与外界形成电性连接之构造。2.依申请专利范围第1项之多晶片封装构造,其中该第一排以及第二排晶片焊垫大致上系彼此平行并且彼此对置。3.依申请专利范围第2项之多晶片封装构造,其另包含:一第三半导体晶片,具有一第三排晶片焊垫设于其正面之一侧边,该第三排晶片焊垫系电性连接至至该基板用以与外界形成电性连接之构造,该第三半导体晶片之背面系设于该第二半导体晶片之正面使得该第三半导体晶片的任何部分都不会挡到该第一排以及第二排晶片焊垫垂直向上区域,该第三排晶片焊垫大致上系垂直于该第一排与第二排晶片焊垫,且该第三半导体晶片的宽度系小于该第一排与第二排晶片焊垫之间的垂直距离。4.依申请专利范围第3项之多晶片封装构造,其另包含:一第四半导体晶片,具有一第四排晶片焊垫设于其正面之一侧边,该第四排晶片焊垫系电性连接至至该基板用以与外界形成电性连接之构造,该第四半导体晶片之背面系设于该第三半导体晶片之正面使得使得该第四半导体晶片的任何部分都不会挡到该第一排、第二排以及第三排晶片焊垫垂直向上区域,该第四排晶片焊垫大致上系垂直于该第一排与第二排晶片焊垫,该第四半导体晶片的宽度系小于该第一排与第二排晶片焊垫之间的垂直距离。5.依申请专利范围第1项之多晶片封装构造,其另包含:一第三半导体晶片,具有一第三排晶片焊垫设于其正面之一侧边,该第三排晶片焊垫系电性连接至至该基板用以与外界形成电性连接之构造,该第三半导体晶片之背面系设于该第二半导体晶片之正面使得该第三半导体晶片的任何部分都不会挡到该第一排以及第二排晶片焊垫垂直向上区域;及一第四半导体晶片,具有一第四排晶片焊垫设于其正面之一侧边,该第四排晶片焊垫系由该连接线连接至该基板用以与外界形成电性连接之构造,该第四半导体晶片之背面系设于该第三半导体晶片之正面使得使得该第四半导体晶片的任何部分都不会挡到该第一排、第二排以及第三排晶片焊垫垂直向上区域,其中该第二排晶片焊垫大致上系垂直于第一排晶片焊垫,该第三排晶片焊垫大致上系垂直于第二排晶片焊垫,第四排晶片焊垫大致上系垂直于第三排晶片焊垫,其中该第四半导体晶片的宽度系小于该第一排与第三排晶片焊垫之间的垂直距离。6.一种制造多晶片封装构造之方法,其包含下列步骤:提供一基板,该具基板有一用以与外界形成电性连接之构造;安装一第一半导体晶片于该基板上,该第一半导体晶片具有一第一排晶片焊垫设于其正面之一侧边;安装一第二半导体晶片于该第一半导体晶片之正面,该第二半导体晶片具有一第二排晶片焊垫设于其正面之一侧边,该第二半导体晶片的任何部分都不会挡到该第一排晶片焊垫垂直向上区域,以便不妨碍该第一半导体晶片之打线制程;及于同一打线制程,以复数条连接线将该第一排晶片焊垫及第二排晶片焊垫连接至该基板用以与外界形成电性连接之构造。7.依申请专利范围第6项之制造多晶片封装构造之方法,其中该第一排以及第二排晶片焊垫大致上系彼此平行并且彼此对置。8.依申请专利范围第7项之制造多晶片封装构造之方法,其另包含:安装一第三半导体晶片于该第二半导体晶片之正面,该第三半导体晶片具有一第三排晶片焊垫设于其正面之一侧边,该第三排晶片焊垫系由该连接线连接至该基板用以与外界形成电性连接之构造,该第三半导体晶片的任何部分都不会挡到该第一排以及第二排晶片焊垫垂直向上区域,该第三排晶片焊垫大致上系垂直于该第一排与第二排晶片焊垫,且该第三半导体晶片的宽度系小于该第一排与第二排晶片焊垫之间的垂直距离。9.依申请专利范围第8项之制造多晶片封装构造之方法,其另包含:安装一第四半导体晶片于该第三半导体晶片之正面,该第四半导体晶片具有一第四排晶片焊垫设于其正面之一侧边,该第四排晶片焊垫系由该连接线连接至该基板用以与外界形成电性连接之构造,该第四半导体晶片的任何部分都不会挡到该第一排、第二排以及第三排晶片焊垫垂直向上区域,其中该第三排与第四排晶片焊垫大致上系彼此平行并且彼此对置,该第四半导体晶片的宽度系小于该第一排与第二排晶片焊垫之间的垂直距离。10.依申请专利范围第6项之制造多晶片封装构造之方法,其另包含:安装一第三半导体晶片于该第二半导体晶片之正面,该第三半导体晶片具有一第三排晶片焊垫设于其正面之一侧边,该第三排晶片焊垫系由该连接线连接至该基板用以与外界形成电性连接之构造,该第三半导体晶片的任何部分都不会挡到该第一排以及第二排晶片焊垫垂直向上区域;及安装一第四半导体晶片于该第三半导体晶片之正面,该第四半导体晶片具有一第四排晶片焊垫设于其正面之一侧边,该第四排晶片焊垫系由该连接线连接至该基板用以与外界形成电性连接之构造,该第四半导体晶片的任何部分都不会挡到该第一排、第二排以及第三排晶片焊垫垂直向上区域,其中该第二排晶片焊垫大致上系垂直于第一排晶片焊垫,该第三排晶片焊垫大致上系垂直于第二排晶片焊垫,第四排晶片焊垫大致上系垂直于第三排晶片焊垫,该第四半导体晶片的宽度系小于该第一排与第三排晶片焊垫之间的垂直距离。图式简单说明:第一图:习知多晶片封装构造之剖面图;第二图:根据本发明第一较佳实施例之多晶片封装构造移除封胶体后之立体图;第三图:根据本发明第二较佳实施例之多晶片封装构造移除封胶体后之立体图;第四图:根据本发明第三图之多晶片封装构造移除封胶体后之上视图;第五图:沿第四图5-5线之剖面图;第六图:沿第四图6-6线之剖面图;及第七图:根据本发明第三较佳实施例之多晶片封装构造移除封胶体后之立体图。
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