| 主权项 |
1.一种可控制闩锁之绝缘闸双载子电晶体,包括:一具有第一导电型态之第一半导体区域,该第一半导体区域具有一第一及一第二表面;一位于该第一半导体区域之第一表面侧且具有与该第一导电型态相反导电型态之第二导电型态之第二半导体区域;一位于该第一半导体区域之第二表面侧且具有该第二导电型态之第三半导体区域;一形成于该第三半导体区域上且具有该第一导电型态之第四半导体区域;一形成于该第四半导体区域上且具有该第二导电型态之第五半导体区域;一形成于该第五半导体区域上且具有该第一导电型态之第六半导体区域;一第一闸极,与该第一、第三及第四半导体区域形成一第一场效电晶体;一形成于一壕沟内之第二闸极,与该第四至第六半导体区域形成一第二场效电晶体;一第一电极区域接触该第三、第五及第六半导体区域;以及一第二电极区域接触该第二半导体区域。2.如申请专利范围第1项所述之绝缘闸双载子电晶体,其中,该第一半导体区域与该第二半导体区域邻接之区域系重掺杂者。3.如申请专利范围第1项所述之绝缘闸双载子电晶体,更包括一功能手段电性连接该第一及第二闸极者。4.如申请专利范围第1项所述之绝缘闸双载子电晶体,其中,该第二闸极系一平面闸极或壕沟闸极者。5.一种可控制闩锁之绝缘闸双载子电晶体,包括:一具有第一导电型态之第一区域;一形成于该第一区域上且具有与该第一导电型态相反导电型态之第二导电型态之第二区域;一形成于该第二区域内且具有该第一导电型态之第一井;一形成于该第一井内且具有该第二导电型态之第二井;一形成于该第二井内且具有该第一导电型态之第三区域;一形成于该第三区域表面且具有该第二导电型态之第四区域;一形成于该第一井表面上方之第一闸极,该第一闸极与该第一及第二井及第二区域形成一第一场效电晶体;一形成于一壕沟内之第二闸极,该第二闸极与该第二井及第三及第四区域形成一第二场效电晶体;一第一电极层接触该第一井及第三及第四区域;以及一第二电极层接触该第一区域。6.如申请专利范围第5项所述之绝缘闸双载子电晶体,其中,该第二区域与该第一区域邻接之区域系重掺杂者。7.如申请专利范围第5项所述之绝缘闸双载子电晶体,更包括一功能手段电性连接该第一及第二闸极者。8.一种可控制闩锁之绝缘闸双载子电晶体,其系形成于一半导体基底上者,该可控制闩锁之绝缘闸双载子电晶体包括:一闸流体,其具有一第一导电型态之第一区域、一形成于该第一区域上且与该第一导电型态相反导电型态之第二导电型态之第二区域、一形成于该第二区域上且具有该第一导电型态之第三区域,以及一具有该第二导电型态之第四区域接触该第三区域并形成一P-N接面,该第三区域及该第一区域分别接触一第一电极区域及一第二电极区域;一具有一第一闸极之第一场效电晶体功能手段俾因应一开启偏压信号而导通该第四区域至该第二区域;以及一具有一第二闸极之第二场效电晶体功能手段介于该第四区域与该第二电极区域之间俾因应一截断偏压信号而关闭该闸流体。9.如申请专利范围第8项所述之绝缘闸双载子电晶体,其中,该第一闸极系一平面闸极或壕沟闸极者。10.如申请专利范围第8项所述之绝缘闸双载子电晶体,其中,该第二闸极系一平面闸极或壕沟闸极者。11.如申请专利范围第8项所述之绝缘闸双载子电晶体,更包括一功能手段电性连接该第一与第二闸极者。图式简单说明:第一图系一典型的IGBT之剖视图。第二图系一习知的EST之剖视图。第三图系一习知的壕沟型IGBT之剖视图。第四图系本发明之较佳实施例之剖视图。第五图系本发明另一实施例之剖视图。第六图系本发明又一实施例之剖视图。 |
