具有导电窗户层之半导体发光元件

摘要

一种具有高亮度之半导体发光元件，例如发光二极体(LED)或雷射二极体(LD)等，至少包含一形成于第一电极上之基材、形成于基材上之第一束缚层、形成于第一束缚层上之活性层、形成于活性层上之第二束缚层、形成于第二束缚层上具有导电氧化物之窗户层，其中活性层可为双异质结构(DH)或多重量子井结构(MQW)，基材层包含一砷化镓层及一磷砷化镓层以增加基材之能隙。本发明以导电透光氧化物薄膜 AlZnO(x) 做为发光元件之透光窗户层,除了具有低电阻及高穿透度的特性外，更因其系利用物理气相沉积或有机金属化学气相沉积等方法成长，可于低温成长，因此可节省制造元件所需的时间并降低成本。

主权项

1.一种半导体发光元件至少包含:一第一导电型基材,形成于一第一导电型电极上;一磷化铝镓铟(AlGalnP)双异质结构(double hetero-structure, DH),形成于该基材上;一AlZnO(x)导电透光窗户层,形成于该双异质结构上;及一第二导电型电极,形成于该导电透光窗户层上。2.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中上述之基材为砷化镓(GaAs)。3.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中上述之基材包含砷磷化镓(GaAsP)于砷化镓(GaAs)上。4.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,其中上述之基材包含砷磷化镓(GaAsP)于磷化镓(GaP)上。5.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,更包含一第一导电型分布式布拉格反射层(distributed Bragg reflector, DBR),位于上述之基材与上述之AlGaInP双异质结构之间。6.如申请专利范围第1项之半导体发光元件,更包含一第二导电型欧姆接触层,位于上述之AlGaInP双异质结构与上述之导电透光窗户层之间。7.如申请专利范围第5项之半导体发光元件,其中上述之DBR结构包含砷化铝(AlAs)于砷化铝镓(AlGaAs)上。8.如申请专利范围第5项之半导体发光元件,其中上述之DBR结构包含磷化铝铟(AlInP)于磷化铝镓铟(AlGaInP)上。9.一种半导体发光元件至少包含:一第一导电型基材,形成于一第一导电型电极上;一磷化铝镓铟(AlGaInP)多重量子井结构结构(multi-layer quantum well, MQW),形成于该基材上;一AlZnO(x)导电透光窗户层,形成于该多重量子井结构上;及一第二导电型电极,形成于该导电透光窗户层上。10.一种半导体发光元件至少包含:一第一导电型基材,形成于一第一导电型电极上;一第一导电型磷化铝镓铟(AlGaInP)之第一束缚层,形成于该基材上;一未掺杂AlGaInP活性层,形成于该第一束缚层上;一第二导电型AlGaInP之第二束缚层,形成于该活性层上;一AlZnO(x)导电透光窗户层,形成于该第二束缚层上;及一第二导电型电极,形成于该导电透光窗户层上。11.如申请专利范围第10项之半导体发光元件,其中上述之基材为砷化镓(GaAs)。12.如申请专利范围第10项之半导体发光元件,其中上述之基材包含砷磷化镓(GaAsP)于砷化镓(GaAs)上。13.如申请专利范围第10项之半导体发光元件,其中上述之基材包含砷磷化镓(GaAsP)于磷化镓(GaP)上。14.如申请专利范围第10项之半导体发光元件,更包含一第一导电型分布式布拉格反射层(distributed Bragg reflector, DBR),位于上述之基材与上述之AlGaInP双异质结构之间。15.如申请专利范围第10项之半导体发光元件,更包含一第二导电型欧姆接触层,位于上述之AlGaInP双层质结构与上述之导电透光窗户层修之间。16.如申请专利范围第14项之半导体发光元件,其中上述之DBR结构包含砷化铝(AlAs)于砷化铝镓(AlGaAs)上。17.如申请专利范围第14项之半导体发光元件,其中上述之DBR结构包含磷化铝铟(AlInP)于磷化铝镓铟(AlGaInP)上。18.如申请专利范围第10项之半导体发光元件,其中上述之未掺杂AlGaInP活性层为双异质结构。19.如申请专利范围第10项之半导体发光元件,其中上述之未掺杂AlGaInP活性层为多重量子井结构。图式简单说明:第一图描绘第一个习知技术发光二极体之结构截面图。第二图描绘第二个习知技术发光二极体之结构截面图。第三图描绘第三个习知技术发光二极体之结构截面图。第四图描绘本发明之半导体发光元件第一个较佳实施例结构截面图。第五图描绘本发明之半导体发光元件第二个较佳实施例结构截面图。