| 主权项 |
1.一种形成无削角之金属内连线结构的方法,至少包含:提供一半导体底材,该半导体底材上具有一第一中止层,该第一中止层上有一第一介金属层;蚀刻该第一介金属层以形成一开口于该第一介金属内,系藉一第一光阻层为蚀刻光罩;形成一第二中止层于该第一介金属层的表面上;形成一介电层以填满满开口及该第二中止层表面上;回蚀该介电层直到露出该第二中止层;形成一第二介金属层于该第二中止层表面上与该介电层表面上;蚀刻该第二介金属层;系藉一第二光阻层为蚀刻光罩;形成一第三中止层于该第二介金属层,该第二中止层与该介电层的表面上;回蚀该第三中止层直到露出该介电层之表面;移去该开口内之该介电层;蚀刻该第三中止层;该第二中止层及该第一中止层直到露出该第二介金属层,该第一介金属层及该半导体底材表面;形成一阻障层于该第一介金属层与该第二介金属层所形成的一内连线渠沟内;以一金属填满该第一介金属层与该第二介金属层所形成的该内连线渠沟内;平坦化该金属表面,以曝露出该第二介金属层的表面,藉此双镶嵌法以形成金属内连线结构。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一光阻层之一厚度约介于5000与15000埃。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第二光阻层之一厚度约介于5000与15000埃。4.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一中止层至少包含氮化矽。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该第一中止层至少包含碳化矽。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该介电层具有介电常数介于2.6到2.8,且该介电层的一厚度约介于4000与5000埃。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述形成介电层的方法至少包含旋涂式玻璃法。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述阻障层至少包含氮化钽。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中上述阻障层至少包含氮化钛。10.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属层至少包含铜合金。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该金属层至少包含铝合金。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中平坦化该金属表面之方法至少包含化学机构研磨法。13.一种形成无削角之金属内连线结构的方法,至少包含:提供一半导体底材,该半导体底材上具有一第一氮化矽层,该第一氮化矽层上有一第一介金属层;形成一第一光阻层于该第一介金属层上该第一光阻层具有一金属内连线图案;蚀刻该第一介金属层以形成一开口于该介金属层内,系藉该第一光阻层为蚀刻光罩;形成一第二氮化矽层于该第一介金属层的表面上;形成一介电层以填满该开口及该第二氮化矽层表面上;回蚀该介电层直到露出该第二氮化矽层;形成一第二介金属层于该第二氮化矽层表面上与该介电层表面上;形成一第二光阻层于该第二介金属层表面上,该第二光阻层具有一渠沟开口图案;蚀刻该第二介金属层,系藉该第二光阻层为蚀刻光罩;形成一第三氮化矽层于该第二介金属层,该第二氮化矽层与该介电层的表面上;回蚀该第三氮化矽层直到露出该介电层之表面;移去该开口内之该介电层;蚀刻该第三氮化矽层,该第二氮化矽层及该第一氮化矽层直到露出该第二介金属,该第一介金属层及该底材;形成一阻障层于该第一介金属层与该第二介金属层所形成的一内连线渠沟内;以一金属填满该第一介金属层与该第二介金属层所形成的该内连线渠沟内;平坦化该金属表面,以曝露出该第二介金属层的表面,藉此双镶嵌法以形成金属内连线结构。14.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第一光阻层之一厚度约介于5000与15000埃。15.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该第二光阻层之一厚度约介于5000与15000埃。16.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该介层层具有介电常数介于2.6到2.8,且该介电层的一厚度约介于4000与5000埃。17.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述形成介电层的方法至少包含旋涂式玻璃法。18.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述阻障层至少包含氮化钽。19.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述阻障层至少包含氮化钛。20.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述阻障层至少包含钽。21.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该金属至少包含铜合金。22.如申请专利范围第13项所述之方法,其中该金属至少包含铝合金。23.如申请专利范围第13项所述之方法,其中上述平坦化该金属至少包含化学机械研磨法。图式简单说明:第一图A至第一图E为习知技艺之剖面图;及第二图A至第二图N为本发明实施例之剖面图; |
