| 主权项 |
1.一种自动对准金属矽化物的制造方法,其包括下列步骤:在具有一P井与一N井的一基底上,形成一暴露出该P井的第一光阻;在该P井处形成一N型金氧半导体;进行一第一非晶化植入步骤;去除该第一光阻;在该基底上形成一暴露出该N井的第二光阻;在该N井处形成一P型金氧半导体;进行一第二非晶化植入步骤,其中该第二非晶化植入步骤的植入剂量小于该第一非晶化植入步骤的植入剂量;去除该第二光阻;以及在该基底上形成一自动对准金属矽化物。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一非晶化植入步骤的植入剂量约为2E14ions/cm3。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第二非晶化植入步骤的植入剂量约为1E14ions/cm3。4.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一非晶化植入步骤的植入剂量约为2E14ions/cm3,而该第二非晶化植入步骤的植入剂量约为1E14ions/cm3。图式简单说明:第一图A至第一图C绘示习知一种自动对准金属矽化物制造方法的剖面示意图;第二图A至第二图C绘示本发明一较佳实施例之自动对准金属矽化物制造方法的剖面示意图;以及第三图为本发明较佳实施例之金属矽化物与习知制程之金属矽化物片电阻的结果。 |
