| 主权项 |
1.一种半导体元件插座之附接构造,其系包含:一个插座体;一个电路基体,该半导体元件插座被附接于其上;一个被形成在该插座体内之接触片薄膜,且被提供传导线及一个与半导体元件连接之接触部份;被连接到该等传导线之插座连接器,该等传导线被形成在该接触片薄膜上;及被形成在该电路基体上之电路基体连接器,其系用于与该等插座连接器连接,其中该等插座连接器连接及该等电路基体连接器为一个阴阳连接器的关系。2.如申请专利范围第1项之附接构造,其中该半导体元件插座进一步被提供一个强化构件,其强化该接触薄膜且在对应于该接触部份的位置中具有一个开孔。3.如申请专利范围第2项之附接构造,其中该开孔作为一个定位导件之功能,用以定位该半导体元件至该接触部份。4.如申请专利范围第2项之附接构造,其中:该强化构件具有凸部,被形成在对应于该等插座连接器位置的位置内;且该接触片薄膜被沿着该等凸部接合,以致于形成该等插座连接器。5.如申请专利范围第2项之附接构造,其中该插座体被提供一个固定机构,用以可分离地固定强化构件。6.如申请专利范围第1项之附接构造,其中该半导体元件插座依靠一个接合力被固定在该电路基体上,该接合力是在连接时于该等插座连接器及该等电路基体连接器之间造成。7.如申请专利范围第1项之附接构造,其中:被接合于半导体元件插座的接触薄膜被提供多数个接触部份;且多数个对应于该等多数接触部份之插座连接器被形成在该接触薄膜上。8.如申请专利范围第1项之附接构造,其中该接触薄膜被提供位移吸收部份,其吸收该接触薄膜的位移,该位移是当该等插座连接器被附接至该等电路基体连接器或从该等电路基体连接器被分离时所造成。9.如申请专利范围第8项之附接构造,其中该等位移吸收部份是被形成在该接触薄膜内之缝隙、波纹管、重叠部份、或薄部份。10.如申请专利范围第1项之附接构造,其中一个焊接绝缘材料被施加在至少该接触片薄膜上的连接器安装区域,插座连接器之焊接部份系被暴露出。11.如申请专利范围第2项之附接构造,其中:该强化构件包含一个用以强化该接触部份的位置之第一强化部份,及用以强化该等插座连接器的位置之第二强化部份;且该等第二强化部份能从该第一强化部份被移动。图式简单说明:第一图A至第一图C说明一个扁簧型式之传统半导体元件插座;第二图A至第二图B说明一个接触薄膜型式之传统半导体元件插座;第三图A及第三图B说明另一个接触薄膜型式之传统半导体元件插座;第四图A及第四图B说明本发明第一实施例的半导体元件插座之附接构造;第五图说明一个被用在本发明第一实施例中之接触薄膜;第六图显示一个被附接在本发明第一实施例的强化板之之接触薄膜;第七图说明本发明第一实施例的强化板;第八图说明在本发明第一实施例的附接构造中被附接在一测试电路基体之半导体之半导体元件插座;第九图说明一本发明第一实施例之变化形式;第十图A及第十图B说明本发明第二实施例之附接构造;第十一图显示一个被用在本发明第二实施例的附接构造中之接触薄膜;第十二图说明本发明第二实施例的一个接触薄膜附接至强化板之附接方法;第十三图说明本发明第三实施例之附接构造;第十四说明一个被用在本发明第四实施例的附接构造之插座;第十五图是一个被使用在本发明第四实施例的附接构造中之接触薄膜的部份放大图;第十六图说明一个在本发明第四实施例的附接构造中被附接至一测试电路基体之插座;第十七图说明一个在本发明第五实施例的附接构造中之插座;第十八图是一本发明第五实施例的插座之部份放大图;第十九图是一本发明第五实施例的附接构造之放大侧视图;第二十图说明本发明第五实施例的附接构造之第一变化形式;第二十一图说明一本发明第五实施例的附接构造之第二变化形式;第二十二图是一本发明第六实施例的附接构造之侧视图;第二十三图是一本发明第七实施例的附接构造之侧视图;第二十四图是一本发明第八实施例的附接构造之侧视图;第二十五图显示一个被使用在本发明第九实施例的附接构造中之接触薄膜;第二十六图是一本发明第九实施例的接触薄膜的连接部份之放大图;第二十七图说明本发明第十实施例之附接构造;第二十八图显示一个被使用在本发明第十实施例的附接构造中之强化板;第二十九图是一本发明第十实施例的附接构造之侧视图。 |
