| 主权项 |
1.一种降低反窄线效应的方法,适用于具有浅沟渠隔离结构之积体电路的制程中,该方法包括:提供具有一垫氧化层之一半导体基底;于该垫氧化层上形成具有图案之一覆盖层,以定义出一主动区与一隔离区,其中,该覆盖层完全覆盖该主动区,并暴露出该隔离区;移除该隔离区中之该垫氧化层与部分该基底,以于该隔离区中形成一浅沟渠;减小该覆盖层的宽度,以使该覆盖层的宽度小于该主动区的宽度,以暴露出该主动区的边缘部分;形成一氧化层填满该浅沟渠并连接于该覆盖层;移除该覆盖层;以该氧化层为罩幕,透过该垫氧化层对该主动区植入氮气,以于该主动区的该基底中形成一抑制区;移除该主动区中之该氧化层以及该垫氧化层,以暴露出该主动区中之该基底;以及于该主动区中之基底上形成一闸氧化层,其中该闸氧化层位于该主动区之边缘部分的厚度厚于在该抑制区上之部分的厚度。2.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中该方法更包括于形成该闸氧化层后,于该基底上形成一闸极。3.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中减小该覆盖层之宽度的方法包括湿式蚀刻法。4.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中移除该主动区中之该氧化层以及该垫氧化层的方法包括湿式蚀刻法。5.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中该方法更包括于形成该闸氧化层之前进行一改善该主动区中之该基底表面的步骤,该步骤包括:于该主动区中形成一牺牲氧化层覆盖该基底;以及移除该牺牲氧化层。6.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中该覆盖层的材质包括氮化物。7.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中该方法更包括于形成该氧化物填充于该浅沟渠之前,形成一衬氧化层覆盖于该浅沟渠的内壁。8.如申请专利范围第1项所述之降低反窄线效应的方法,其中形成该闸氧化层的方法包括热氧化法。9.一种降低反窄线效应的方法,包括:提供一基底;于该基底定义出一主动区与一隔离区;于该隔离区中形成一浅沟渠,其中该浅沟渠与该主动区相邻;形成一氧化层填满该浅沟渠并覆盖该主动区之边缘;以该氧化层为罩幕,对该主动区中之该基底植入氮气,以于该主动区之该基底中形成一抑制区;移除部分该氧化层,以完全暴露出该主动区之该基底;形成一闸氧化层覆盖于该主动区中之该基底,其中该闸氧化层于该主动区边缘的厚度大于该抑制区上之该闸氧化层的厚度。10.如申请专利范围第9项所述之降低反窄线效应的方法,其中于该基底定义出该主动区与该隔离区的方法包括于该基底上形成具有图案之一覆盖层,其中该基底被该覆盖层所覆盖的部份为主动区,而未被该覆盖层所覆盖的部份为隔离区。11.如申请专利范围第10项所述之降低反窄线效应的方法,其中形成该氧化层的方法包括:进行一湿式蚀刻步骤,以减小该覆盖层之宽度,以暴露出该主动区之边缘;形成一氧化物全面覆盖该基底;进行一密实化步骤,以密实该氧化物;化学机械研磨该氧化物至与该覆盖层之表面等高;以及移除该覆盖层。12.如申请专利范围第9项所述之降低反窄线效应的方法,其中该覆盖层的材质包括氮化物。13.如申请专利范围第9项所述之降低反窄线效应的方法,其中移除部分该氧化层,以完全暴露出该主动区之该基底的方法包括湿式蚀刻法。14.如申请专利范围第9项所述之降低反窄线效应的方法,其中形成该闸氧化层的方法包括热氧化法。15.一种降低反窄线效应的方法,适用于动态随机存取记忆体之记忆胞的制程中,该方法包括:提供一基底,其中该基底已定义有一主动区与一隔离区;于该隔离区中形成一浅沟渠,其中该浅沟渠紧接于该主动区;于该主动区上形成一闸氧化层,其中该闸氧化层紧接于该浅沟渠之边缘的厚度大于该闸氧化层其他部分的厚度。16.如申请专利范围第15项所述之降低反窄线效应的方法,其中形成该闸氧化层的方法包括:于该主动区中之该基底上形成一覆盖层,其中该覆盖层的宽度小于该主动区的宽度,且该覆盖层暴露出该主动区的边缘;形成一氧化层填满该浅沟渠,并覆盖该主动区边缘未被该覆盖层覆盖的部分;移除该覆盖层;以该氧化层为罩幕,对该主动区之该基底植入氮气,以于该主动区之该基底中形成一抑制区;移除部分该氧化层,以使该主动区该基底完全暴露出来;以及进行一热氧化步骤,使该主动区中暴露出来之该基底表面氧化成为一闸氧化层。17.如申请专利范围第16项所述之降低反窄线效应的方法,其中移除部分该氧化层,以使该主动区之该基底完全暴露出来的方法包括湿式蚀刻法。图式简单说明:第一图A至第一图E绘示依照本发明之一较佳实施例,一种降低反窄线效应的方法的流程剖面图。 |
