| 主权项 |
1.一种高压元件结构,建构于一第一导电型基底,其结构包括:一第二导电型磊晶矽层,位于该基底上,其中该磊晶矽层上方形成有一闸极;一第二导电型第一掺杂区,位于该基底与该磊晶矽层之间;至少一第二导电型第二掺杂区,分别位于该闸极两侧之该磊晶矽层中,且该第二掺杂区融合部分该第一掺杂区;至少一第二导电型第三掺杂区,位于该闸极下方的该磊晶矽层中;至少一第二导电型第四掺杂区,位于该磊晶矽层中,且由该磊晶矽层之一表面延伸至该第二掺杂区上方的磊晶矽层中,而部分该第四掺杂区与部分该第二掺杂区相融合,其中该第一掺杂区、该第二掺杂区与该第四掺杂区组成一第二导电型汲极区;至少一第一导电型井区,位于该第三掺杂区与该第四掺杂区之间的该磊晶矽层中,且该闸极覆盖部分该井区;至少一第二导电型源极区,分别位于该闸极两侧之该井区中;至少一第一导电型第五掺杂区,位于该源极区与该第四掺杂区之间;以及至少一第一导电型第六掺杂区,位于该源极区下方,其中该第六掺杂区融合部分该井区。2.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中该第一导电型为一N型时,则该第二导电型为一P型。3.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中该第一导电型为一P型时,则该第二导电型为一N型。4.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中该第五掺杂区之一离子掺杂浓度约为51019/cm3至11020/cm3。5.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中该第六掺杂区之一离子掺杂浓度约为31018/cm3至11019/cm3。6.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中该井区之一离子掺杂浓度约为11016/cm3至11017/cm3。7.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中该第五掺杂区之一离子掺杂浓度大于该第六掺杂区之一离子掺杂浓度,而该第六掺杂区之该离子掺杂浓度大于该井区之一离子掺杂浓度。8.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中该第一掺杂区之一离子掺杂浓度约为51019/cm3至11020/cm3。9.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中该第二掺杂区之一离子掺杂浓度约为31019/cm3至11020/cm3。10.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中该第三掺杂区之一离子掺杂浓度约为31019/cm3至11020/cm3。11.如申请专利范围第1项所述之高压元件结构,其中该第四掺杂区之一离子掺杂浓度约为31019/cm3至11020/cm3。12.一种高压元件结构,其建构于一第一导电型基底上,其结构包括:一第二导电型磊晶矽层,位于该基底上,其中该磊晶矽层上方形成有一闸极;一第二导电型第一掺杂区,位于该基底与该磊晶矽层之间;一第二导电型第二掺杂区,位于该闸极一侧之该磊晶矽层中,且该第二掺杂区融合分该第一掺杂区;一第二导电型第三掺杂区,位于该闸极下方的该磊晶矽层中;一第二导电型第四掺杂区,由该磊晶矽层之一表面延伸至该第二掺杂区上方的磊晶矽层中,而部分该第四掺杂区与部分该第二掺杂区相融合,其中该第一掺杂区、第二掺杂区与该第四掺杂区组成一第二导电型汲极区;一第一导电型井区,位于该第三掺杂区与该第四掺杂区之间的该磊晶矽层中,且该闸极覆盖部分该井区;一第二导电型源极区,位于该闸极所裸露之该井区中;一第一导电型第五掺杂区,位于该源极区与该第四掺杂区之间的该井区中;以及一第一导电型第六掺杂区,位于该源极区下方,其中该第六掺杂区融合部分该井区。13.如申请专利范围第12项所述之高压元件结构,其中该第一导电型为一N型时,则该第二导电型为一P型。14.如申请专利范围第12项所述之高压元件结构,其中该第一导电型为一P型时,则该第二导电型为一N型。15.如申请专利范围第12项所述之高压元件结构,其中该第五掺杂区之一离子掺杂浓度约为51019/cm3至11020/cm3。16.如申请专利范围第12项所述之高压元件结构,其中该第六掺杂区之一离子掺杂浓度约为31018/cm3至11019/cm3。17.如申请专利范围第12项所述之高压元件结构,其中该井区之一离子掺杂浓度约为11016/cm3至11017/cm3。18.如申请专利范围第12项所述之高压元件结构,其中该第五掺杂区之一离子掺杂浓度大于该第六掺杂区之一离子掺杂浓度,而该第六掺杂区之该离子掺杂浓度大于该井区之一离子掺杂浓度。19.如申请专利范围第12项所述之高压元件结构,其中该第一掺杂区之一离子掺杂浓度约为51019/cm3至11020/cm3。20.如申请专利范围第12项所述之高压元件结构,其中该第二掺杂区之一离子掺杂浓度约为31019/cm3至11020/cm3。21.如申请专利范围第12项所述之高压元件结构,其中该第三掺杂区之一离子掺杂浓度约为31019/cm3至11020/cm3。22.如申请专利范围第12项所述之高压元件结构,其中该第四掺杂区之一离子掺杂浓度约为31019/cm3至11020/cm3。23.一种高压元件制造方法,适用于一第一导电型基底,其方法包括:于该基底上形成一第二导电型第一掺杂区;于该基底中形成一第二导电型第一磊晶矽层,同时部分该第一掺杂区向该第一磊晶矽层中扩散,以转换成一第二掺杂区;于该第一磊晶矽层中形成至少一第二导电型第三掺杂区与至少一第二导电型第四掺杂区,其中该些第四掺杂区位于该些第三掺杂区之间,且部分该第三掺杂区融合部分该第二掺杂区;于该第三与该第四掺杂区之间的该第一磊晶矽层中,形成一第五掺杂区;于该第一磊晶矽层上,形成一第二导电型第二磊晶矽层,同时该第三、该第四与该第五掺杂区向该第二磊晶矽层中扩散,分别形成一第六、一第七与一第八掺杂区;于该第二磊晶矽层中,形成一第二导电型第九掺杂区,该第九掺杂区由该第二磊晶矽层之一表面延伸至该第二磊晶矽层中,且部分该第九掺杂区融合部分该第六掺杂区;于该第七掺杂区与该第九掺杂区之间形成一第一导电型井区,该井区由该第二磊晶矽层之一表面延伸至该第二磊晶矽层中,且该井区融合该第八掺杂区;于该磊晶矽层上方,形成一闸极,该闸极覆盖部分该井区;于该闸极一侧与该第九掺杂区之间的该井区中,形成一第二导电型汲极区,且该汲极区位于该第八掺杂区之上;以及于该汲极区与该第九掺杂区之间的该井区中,形成一第一导电型第十掺杂区。24.如申请专利范围第23项所述之高压元件制造方法,其中该第一导电型为一N型时,则该第二导电型为一P型。25.如申请专利范围第23项所述之高压元件制造方法,其中该第一导电型为一P型时,则该第二导电型为一N型。26.如申请专利范围第23项所述之高压元件制造方法,其中该第十掺杂区之一离子掺杂浓度约为51019/cm3至11020/cm3。27.如申请专利范围第23项所述之高压元件制造方法,其中该第五掺杂区之一离子掺杂浓度约为31018/cm3至11019/cm3。28申请专利范围第23所述之高压元件制造方法,其中该井区之一离子掺杂浓度约为11016/cm3至11017/cm3。29.如申请专利范围第23项所述之高压元件制造方法,其中该第十掺杂区之一离子掺杂浓度大于该第五掺杂区之一离子掺杂浓度,而该第五掺杂区之该离子掺杂浓度大于该井区之一离子掺杂浓度。30.如申请专利范围第23项所述之高压元件制造方法,其中该第一掺杂区之一离子掺杂浓度约为51019/cm3至11020/cm3。31.如申请专利范围第23项所述之高压元件制造方法,其中该第三掺杂区之一离子掺杂浓度约为31019/cm3至11020/cm3。32.如申请专利范围第23项所述之高压元件制造方法,其中该第四掺杂区之一离子掺杂浓度约为31019/cm3至11020/cm3。33.如申请专利范围第23项所述之高压元件制造方法,其中该第九掺杂区之一离子掺杂浓度约为31019/cm3至11020/cm3。图式简单说明:第一图系绘示习知的一种高压元件之结构剖面图;以及第二图A至第二图D所示,为根据本发明一较佳实施例之一种高压元件之制造流程剖面图。 |
