| 主权项 |
1.一种减少表面缺陷之非晶矽层的制造方法,包括下列步骤:将半导体基底置于低压化学气相沈积装置之中;导入甲矽烷(SiH4)及非活性气体于该低压化学气相沈积装置;在低于545℃的温度,并且高于15Pa的压力下进行化学气相沈积,用以在该半导体基底上方形成一非晶矽层。2.如申请专利范围第1项所述之非晶矽层的制造方法,其中该半导体基底为矽基底。3.如申请专利范围第1项所述之非晶矽层的制造方法,其中该非活性气体为氦气。4.如申请专利范围第1项所述之非晶矽层的制造方法,其中进行化学气相沈积的反应温度介于505-545℃之间。5.如申请专利范围第4项所述之非晶矽层的制造方法,其中该进行化学气相沈积的反应温度介于520-530℃之间。6.如申请专利范围第1项所述之非晶矽层的制造方法,其中进行化学气相沈积的反应压力介于15-90Pa之间。7.如申请专利范围第6项所述之非晶矽层的制造方法,其中进行化学气相沈积的反应压力介于40-70Pa之间。8.一种减少表面缺陷之非晶矽层的制造方法,包括下列步骤:将矽基底置于低压化学气相沈积装置之中;导入甲矽烷(SiH4)及非活性气体于该低压化学气相沈积装置;在介于520-530℃的温度下,且介于40-70Pa的压力下进行化学气相沈积,用以在该矽基底上方形成一非晶矽层。图式简单说明:第一图为根据习知低压化学气相沈积条件,所形成之非晶矽层的剖面示意图。第二图为根据本发明低压化学气相沈积条件,所形成之非晶矽层的剖面示意图。 |
