| 主权项 |
1.一种乾式蚀刻方法,包含:将至少包含碳及氟的气体供给形成有电浆的反应室内之工程;其特征系在于:上述气体所含之氟对碳之比例不足2。2.如申请专利范围第1项之乾式蚀刻方法,其中,上述气体中被加入稀有气体。3.如申请专利范围第1项之乾式蚀刻方法,其中,上述气体中被加入稀有气体及含氧气体。4.一种乾式蚀刻方法,包含:将具有氧化矽膜的基片插入乾式蚀刻装置内之工程;将至少包含碳及氟的气体供给上述乾式蚀刻装置内之工程;以及在上述乾式蚀刻装置内生成电浆之工程;其特征系在于:上述气体所含之氟对碳之比例不足2,并且将峰间幅値为1.5kV以下之高频电压施加于上述基片。5.一种乾式蚀刻方法,包含:将具有氧化矽膜的基片插入乾式蚀刻装内之工程;将至少包含碳及氟的气体供给上述乾式蚀刻装置内之工程:以及在上述乾式蚀刻装置内生成电浆之工程,其特征系在于:上述气体所含之氟对碳之比例不足2,并且在加热到100℃以上之反应室内对上述基片上之氧化矽膜进行蚀刻。6.如申请专利范围第1-5项中任一项记载之乾式蚀刻方法,其中,上述电装的密度为1011cm-3以上。7.如申请专利范围第1-5项中任一项记载之乾式蚀刻方法,其中,上述气体包含从由C5F8.C4F6.C3F4.C2F2以及(CF3CO)2构成之群中所选择的分子。8.如申请专利范围第2或第3项记载之乾式蚀刻方法,其中,上述稀有气体包含从由Ar、Xe以及Kr构成之群中所选择的原子。9.如申请专利范围第3项记载之乾式蚀刻方法,其中,上述稀有气体包含从由Ar、Xe以及Kr构成之群中所选择的原子;上述含氧气体包含从由O2.CO以及CO2构成之群中所选择的分子。10.一种半导体装置之制造方法,包含:在基片上沉积氧化矽膜之工程;在上述氧化矽膜上形成光罩之工程;以及将至少包含碳及氟的气体供给乾式蚀刻装置内,从而用上述气体之电浆对上述氧化矽膜施以蚀刻之工程;其特征系在于:上述气体所含之氟对碳之比例不足2。11.如申请专利范围第10项记载之半导体装置之制造方法,其中,上述气体中被加入稀有气体。12.如申请专利范围第10项记载之半导体装置之制造方法,其中,上述气体中被加入稀有气体及含氧气体。13.如申请专利范围第10项记载之半导体装置之制造方法,其中,在上述蚀刻工程中,将峰间幅値为1.5kV以下之高频电压施加给上述基片。14.如申请专利范围第10项记载之半导体装置之制造方法,其中,上述蚀刻工程系在上述乾式蚀刻装置之加热到100℃以上之反应室内进行。15.一种乾式蚀刻方法,包含:将至少包含碳及氟的气体供给至形成有电浆的反应室内之工程;将包含碳-碳双键之环状过氟化碳系气体作为上述气体使用。16.一种半导体装置之制造方法,包含:在基片上沉积氧化矽膜之工程;在上述氧化矽膜上形成光罩之工程;以及将至少包含碳及氟的气体供给至乾式蚀刻装置内,从而用上述气体之电浆对上述氧化矽膜施以蚀刻之工程;将包含碳-碳双键之环状过氟化碳系气体作为上述气体使用。图式简单说明:第一图为本发明之第1实施形态中所使用之乾式蚀刻装置之概略图。第二图(a)-第二图(d)为显示本发明之半导体装置之制造方法中之主要工程之断面图。第三图为显示本发明之第1实施形态及比较例有关之蚀刻选择比对蚀刻用气体流量的依存度之曲线图。第四图为显示本发明之第2实施形态有关之蚀刻速率对氩气流量的依存度之曲线图。第五图为对光阻之蚀刻选择比与所加入之氩气流量之关系图。第六图为显示本发明之第3实施形态及比较例有关之接触孔的蚀刻深度对接触孔径的依存度之曲线图。第七图为显示本发明之第4实施形态有关之氧化膜的蚀刻速率与施加给下部电极之高频电力的峰间电压(Vpp)之关系图。第八图为显示本发明之第5实施形态有关之接触孔的蚀刻深度对晶圆处理片数的依存度之图。第九图(a)为显示真空反应室内所导入之C2F6通过四极滤质器(QMS)所得到的数据之图,第九图(b)为显示以同样方法得到的C5F8数据之图。第十图为显示C5F8的电离效率之曲线图。第十一图为显示由C5F8的碳-碳双键之氟接受效应之图。 |
