| 主权项 |
1.一种不纯物处理装置,包括:(a)含不纯物气体供应部份,供应含有不纯物气体;(b)合水气体供应部分,供应含有水气体;以及(c)处理室,包括:(1)含不纯物气体引入端,连接到含有不纯物气体供应部分;(2)基材载座,支撑以离子注入或使用含不纯物气体来掺杂或形成薄膜的被处理层;(3)含水气体引入端,提供与含有不纯物气体流动方向相配合的向上流向基材载座,且连接到含水供应部分;以及(4)第一电浆产生装置,提供含水气体引入端到配合含不纯物气体流动方向的基材载座端空间,并且能将含水气体电浆化。2.如申请专利范围第1项所述的不纯物处理装置,更包括有能将含有不纯物气体电浆化的第二电浆产生装置。3.如申请专利范围第2项所述的不纯物处理装置,其中上述第一电浆产生装置和第二电浆产生装置是一样的。4.如申请专利范围第1项所述的不纯物处理装置,其中上述第一电浆处理是在一对平行板行电极之间施加电压以产生电浆的装置,是产生电子回旋共振的装置,是藉由天线发射电磁场来产生螺旋波电浆的装置,或在处理室分隔壁和电极之间施加电压以产生电浆的装置。5.如申请专利范围第1项所述的不纯物处理装置,其中上述含有不纯物气体包括选自由磷,硼,锑,砷,镓,铝,锗和碳所组成的组群中之至少一者的气体。6.如申请专利范围第1项所述的不纯物处理装置,其中上述含水气体是水蒸气或是添加氢气或氩气到水蒸气的气体。7.一种不纯物处理装置之清洁方法,包括下列步骤:将欲处理层镶埋到处理室;引入含不纯物气体进入处理室以进行电浆化;注入或掺杂离子进入欲处理层或使用电浆在欲处理层上长薄膜;在注入或掺杂离子进入欲处理层或在欲处理层上长薄膜之后将含水气体引入处理室;使处理室中含水气体电浆化;以及让含水气体电浆和产物或处理室内含有不纯物的残留物接触以进行去除。8.如申请专利范围第7项所述的不纯物处理装置的清洁方法,其中上述含有不纯物气体包括选自由磷,硼,锑,砷,镓,铝,锗和碳所构成的组群中至少一者的气体。9.如申请专利范围第7项所述的不纯物处理装置的清洁方法,其中上述含水气体是水蒸气或是添加氢气或氩气到水蒸气的气体。图式简单说明:第一图为传统不纯物处理装置的结构侧面图;第二图为有关于本发明第一实施例的不纯物处理装置的结构侧面图;第三图为第二图的含水气体供应部分的另一个结构侧面图;第四图a-第四图c为第二图中形成薄膜所使用含有不纯物的气体以及使用不纯物处理装置的清洁之剖面图;第五图为有关于本发明第二实施例的不纯物体理装置的结构侧面图;第六图为有关于本发明第三实施例的不纯物体理装置的结构侧面图;以及第七图为有关于本发明第四实施例的不纯物体理装置的结构侧面图。 |
